摘要：介绍了太阳能电池生产线用高温烧结的特点、传动原理,提出了网带驱动力及其传递功率的理论计算方法,利用该方法进行设计计算,可在保证传动可靠的前提下,选择最合适的电机、减速机,减少安装位置,节约设备制造成本。作者根据计算结果应用到实际的生产中,较好的指导了生产。

摘要：深反应离子刻蚀(DRIE)设备,主要应用于MEMS器件制造中Si材料的深槽刻蚀[1].介绍了一种用于硅材料的高深宽比反应离子刻蚀设备,采用ICP技术,刻蚀深宽比≥25∶1.着重阐述了该设备的结构组成、设计方法及控制方法.

摘要：多晶硅铸锭时是将硅材料放在一个耐高温容器即坩埚中将硅料熔化、冷却、长晶的过程。装硅料的容器必须耐高温,不挥发,一般采用氧化硅陶瓷制造。为了保证硅锭的纯度,在硅料放入前需在坩埚内表面喷涂一层隔离材料,然后将此材料与坩埚在高温下形成一体。坩埚烧结炉就是将此喷涂物与坩埚烧结起来,形成牢固的隔离层。本文介绍了设计方法,提供了详细设计计算过程,介绍了设备的特点,并结合实际使用情况给出了测试数据。

摘要：中国电子科技集团公司第四十八研究所是国内最早从事晶体硅太阳能电池整线交钥匙工程的单位,在国内已完成了几十家太阳能整线的建设。整线建设包括生产线设备的配置、安装,外围设施建设(厂房设计,净化间施工,水、电、气的设计施工),工艺调试,投产。其中外围设施建设的重要性往往被人们忽视。作者通过承担几条生产线的整线设计,参与了外围设施设计并在现场跟踪施工全过程,直至整线交付。在外围设施建设过程中发现了一些可修改的设计问题,在此提出来与大家分享。

摘要：对晶体硅太阳能电池片生产用扩散炉反应管压力平衡系统的要求及原理进行了阐述,由于反应管内气流变化对扩散效果影响很大,本系统根据实际使用经验,对工艺管内压力进行检测,在外围尾气排放不稳定的条件下,对反应管内气体排放进行调节,从而控制管内压力,使管内流速均匀,达到好的扩散效果。

摘要：根据太阳能PERC电池关键工艺设备——平板式PECVD设备的整体要求,介绍了其中工艺腔的加热系统设计,对加热功率进行了计算,控制方式进行了分析,通过优化设计,降低了设备的能耗,提高了温度均匀性。

摘要：介绍了一种用于卧式扩散炉的自动上下料系统,对自动上下料系统组成进行了介绍,着重讨论了系统的安全性问题,并对安全性提出了解决方案,该系统控制效果良好,能为电池片生产企业降低人工成本,提高生产效率,增强了设备的安全性,适合大规模电池片生产要求。

摘要：介绍了一种多靶磁控溅射镀膜设备,阐述了镀膜室、工件台、阴极溅射靶、辅助离子源、真空系统等关键部件的设计思想。镀膜工艺结果显示,设备满足工艺要求,膜层均匀性优于±3%。

摘要：研制了水平热壁式外延沉积系统,设计了双加热器温控系统和水平三层流喷淋系统,介绍了温场和流场获得方法。在偏4°的Si面4H-SiC单晶衬底上进行了工艺验证。研究了生长温度、C/Si以及SiH_4流量对SiC外延生长速率的影响,通过主要参数的综合调整,生长出了表面光滑的SiC外延膜。

摘要：碳化硅材料是一种宽禁带半导体材料,其耐高温、耐高压的特性特别适合制作大功率半导体器件。近几年来,随着SiC器件生产工艺技术的突破,碳化硅器件得到了快速的发展,其相关设备也在不断开发并走向成熟。简要介绍了SiC外延生长设备中加热器的设计方法、温度控制以及温度均匀性调节方法,通过实验验证了温度均匀性及控制精度。