摘要：概述了污染源自动监控信息交换原型系统建设的背景、目标,在列举了实现信息交换的主要技术并分析污染源自动监控信息交换需求的基础上,提出了基于企业服务总线(E S B)技术的污染源自动监控信息交换原型系统的总体框架、技术实现路线和主要功能,以期对国控污染源自动监控信息交换提供技术保障。

摘要：良好的教学情境有助于提高教学效果。本文首先简述教学情境的实践功用,接着探讨良好教学情境应具有的特征,再次重点论述如何优化设计良好的教学情境。

摘要：叙述了230 mm(厚)×3100 mm(宽)Q355NDZ35钢板的研发。特厚特宽钢板生产的重点难点是保探伤及Z向性能指标的能力,由于规格限制钢板总压缩比小,且生产时轧制力小,渗透较差,因此需要在整体工艺上进行优化。该钢成分设计采用C、Mn、Nb、V等元素,通过冶炼、浇注、加热、轧制及热处理工艺的整体优化,最终得到批量生产该级别230 mm×3100 mm特厚特宽Q355NDZ35钢板的方法。钢板常规力学性能及抗层状撕裂Z向性能均匀且完全满足国家标准要求,钢板内部探伤也达到了NB/T 47013.3-2015 T1级要求。

摘要：首先,介绍直流电弧等离子体喷射化学气相沉积法的原理以及气体循环系统的设计和其优缺点;其次,详细介绍冷阱系统的设计及其工作原理;最后,使用拉曼光谱和傅里叶变换红外光谱与光致发光光谱对比添加冷阱系统前后的金刚石薄膜的质量。结果表明:冷阱系统可以有效过滤循环气路中的热油气,避免杂质的掺入;在添加冷阱系统后,金刚石膜内掺入的杂质减少,金刚石拉曼峰半高宽降低到6.76 cm^(−1),接近于Ib型单晶金刚石的,且自支撑金刚石膜的晶体质量明显提高,光学透过率提升较大,在10.6μm波长处达到68.4%。

摘要：氮化镓(GaN)基功率器件性能的充分发挥受到沉积GaN的衬底低热导率的限制,具有高热导率的化学气相沉积(CVD)金刚石,成为GaN功率器件热扩散衬底材料的优良选择。相关学者在高导热金刚石与GaN器件结合技术方面开展了多项技术研究,主要包括低温键合技术、GaN外延层背面直接生长金刚石的衬底转移技术、单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术。对GaN功率器件散热瓶颈的原因进行了详细评述,并对上述各项技术的优缺点进行了系统分析和评述,揭示了各类散热技术的热设计工艺开发和面临的技术挑战,并认为低温键合技术具有制备温度低、金刚石衬底导热性能可控的优势,但是大尺寸金刚石衬底的高精度加工和较差的界面结合强度对低温键合技术提出挑战。GaN外延层背面直接生长金刚石则具有良好的界面结合强度,但是涉及到高温、晶圆应力大、界面热阻高等技术难点。单晶金刚石外延GaN技术和高导热金刚石钝化层散热技术则分别受到单晶金刚石尺寸小、成本高和工艺不兼容的限制。因此,开发低成本大尺寸金刚石衬底,提高晶圆应力控制技术和界面结合强度,降低界面热阻,提高金刚石衬底GaN器件性能方面,将是未来金刚石与GaN器件结合技术发展的重点。