摘要：设计了一种Si基金刚石薄膜上的SAW RF MEMS滤波器,其中心频率为400MHz,叉指换能器(IDT)线宽为5μm。采用中物超硬材料公司定制的硅基金刚石薄膜基片,利用射频溅射方法在金刚石薄膜上制备了厚度为2μm的ZnO压电薄膜,XRD分析证明其具有良好的C轴取向。采用剥离工艺制备IDT,通过精细的工艺控制,得到了设计的IDT图形。最后,对该滤波器样品进行了封装和测试。测试结果表明,其中心频率为378MHz,插损为15.9dB。

摘要：RFMEMS开关将成为微波、高频信号控制的关键器件。针对其驱动电压过高,不能满足现代通信系统低电压的要求,推导了电容式RFMEMS开关驱动电压的理论公式;基于降低开关柔顺结构的弹性系数、驱动电极上极板与可变电容上极板分离的思路,优化设计了三种具有不同的连接梁和支撑梁结构形式的开关微桥柔顺结构。第一种结构为驱动电极板和电容上极板之间以双直梁连接;第二种结构以一组弹性折叠梁代替结构一中的双直梁;第三种结构是在结构二的基础上,改变了起支撑作用的弹性折叠梁的方向。使用MEMS CAD软件CoventorWare对开关结构进行了机电耦合仿真,仿真结果表明开关的驱动电压小于3V。

摘要：导电触点过热是高压开关柜主要的失效模式,迫切需要低成本的实时、原位、在线触点温度监测装置作为早期失效预警系统,以确保此类高压大电流电气设备的可靠运行。设计触点温度监测装置,必须首先明确高压开关柜内的电磁场环境。以KYN28-12(Z)型高压开关柜为例,应用多物理场耦合仿真软件COMSOL Multiphysics的AC/DC模块,建立高压开关柜的三维电磁场数值仿真模型,采用准静态电磁场求解方法,计算得到了相线加载电压为12kV@50Hz的标准工况下开关柜内电磁场强度的分布:矩形铜制相线角部的电场和磁场强度最大,相线间的电场和磁场强度稍小。