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检索条件"作者=陈远均"
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基于BSIM3V3模型的E类CMOS功率放大器设计
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《微电子学》2010年 第3期40卷 343-346页
作者:陈远均 徐建城 王婵媛西北工业大学电子信息学院西安710129 
为减小功率放大器的尺寸和提高放大器的效率,可以利用晶体管的漏端寄生结电容作为E类射频功率放大器的分流电容。文章提出根据晶体管漏体寄生结电容来设计E类CMOS功率放大器,在BSIM3V3漏体结电容模型的基础上,分析了漏端边缘电容对设计...
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Pd single-atom monolithic catalyst: Functional 3D structure and unique chemical selectivity in hydrogenation reaction
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《Science China Materials》2021年 第8期64卷 1919-1929页
作者:Zedong Zhang Min Zhou Yuanjun Chen Shoujie Liu Haifeng Wang Jian Zhang Shufang Ji Dingsheng Wang Yadong LiDepartment of ChemistryTsinghua UniversityBeijing 100084China Key Laboratory for Advanced MaterialsCentre for Computational Chemistry and Research Institute of Industrial CatalysisEast China University of Science and TechnologyShanghai 200237China Chemistry and Chemical Engineering of Guangdong LaboratoryShantou 515063China 
Regulating the selectivity of catalysts in selective hydrogenation reactions at the atomic level is highly desirable but remains a grand challenge. Here we report a simple and practical strategy to synthesize a monoli...
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