摘要：由于具有光源波长短(13.5 nm)、图案化分辨率高等优点,极紫外(extreme ultraviolet,EUV)光刻技术被认为是突破5 nm甚至是3 nm半导体芯片制程节点的关键技术,与之相对应的EUV光刻胶研发广受关注。但传统的基于聚合物体系的化学放大光刻胶(chemical amplified resist,CAR)因尺寸过大、对EUV吸收低,限制了其在EUV光刻技术的应用进程。部分含有d轨道电子的金属元素具有高的EUV吸收截面,在光刻胶分子中引入这些金属元素可以有效提高对EUV的灵敏度。通过分子设计制备尺寸小、EUV吸收高的金属基光刻胶材料是解决EUV光刻胶服役性能问题的有效途径,已得到了广泛的研究。本文按金属氧簇(MOCs)、金属氧化物纳米粒子(NP)、金属-有机小分子(MORE)进行分类,对目前国内外的EUV光刻胶研究进展进行总结,并对EUV光刻胶未来所面临的机遇和挑战进行了展望。

摘要：Notably,the cleavage of Sn–C bonds in extreme-ultraviolet photoresists containing Sn-oxygen(oxo)clusters and the generation of free radicals upon exposure lead to the chemical linking of Sn-oxo cores and subsequent solubility *** reactivities and migration patterns of the generated radicals substantially influence patterning outcomes,including sensitivity and ***,two Snoxo clusters,Sn_(4)-Me-C_(10)(with Sn–methyl)and Sn_(4)-Bu-C_(10)(with Sn–butyl),were combined to balance the sensitivity and resolution of photoresists,leveraging the feedback regulation between methyl and butyl free radicals generated from Sn–C bond *** electron beam lithography exposure,sensitive butyl radicals produced by Sn_(4)-Bu-C_(10)initiated reactions within Sn_(4)-Me-C_(10),improving ***,the unstable methyl and bulky adamantyl radicals generated by Sn_(4)-Me-C_(10)quenched the excess butyl radicals,thus improving the resolution and exposure ***,this method leveraging the feedback regulation of free radicals offers new insights into the design of sensitive metal oxide resists with enhanced resolution.

摘要：彩色光刻胶是制作彩色滤光片的重要部分之一,是实现TFT-LCD色彩显示的重要材料.为了提高彩色滤光片的色纯度和色域,颜料染料化应运而生,但染料热稳定性较差,难以应用于工业生产过程中.为了研究不同取代基对染料溶解度和热稳定性的影响,本文设计、合成了一系列锌酞菁染料.实验表明,砜基修饰的含氯锌酞菁染料具有较好的颜色性质和热稳定性.这对设计高耐热的彩色光刻胶用分子水平锌酞菁染料具有重要意义.

摘要：随着半导体行业集成度越来越高,对光刻材料提出了更高的要求。近年来,金属氧簇光刻胶由于尺寸小、结构设计灵活,得到了广泛的研究。目前锑基金属光刻胶仅局限于含锑配合物。开发出新型锑氧簇光刻胶,通过对比金属有机组装Sb_(4)O-1与自组装Sb_(4)O-2的溶解度差异说明自组装策略优势。原子力显微镜证实Sb_(4)O-2光刻胶可形成光滑薄膜,并获得低粗糙度值(均方根粗糙度<0.3 nm)。电子束光刻(EBL)证明Sb_(4)O-2光刻胶优异的图案化能力(线宽<50 nm),理论计算支持X射线光电子能谱(XPS)分析的新型自组装Sb_(4)O-2“配体解离”机制。

摘要：由于C=C双键交联反应机制的成熟,金属氧化物光刻胶得到了广泛的发展.然而,由于不稳定的C=C双键,这种材料需要低温和遮光存储.在此,首次在金属氧簇中提出了C-F键交联策略用于光刻图案化.以光刻胶Zn-TBA为例,它形成光滑无缺陷的薄膜,且表面粗糙度Rq小于0.2 nm.使用极紫外(EUV)干涉掩模,在65 mJ cm^(-2)曝光剂量下形成37.5 nm的半周期(HP)图案.在EUV曝光和正己烷显影后,通过原子力显微镜(AFM)观察到负性光刻胶形貌.重要的是,Zn-TBA可以在室温和明亮的环境中储存.除了脱羧之外,我们还提出光引发的C-F交联是Zn-TBA图案的主要贡献者,并通过高分辨率X射线光电子能谱(HRXPS)和密度泛函理论(DFT)计算得以证明.这种新颖的光刻机制为下一代金属基材料的设计提供了新的思路.

摘要：为控制火电厂发电成本,构建基于改进粒子群算法的火电厂发电成本控制模型。设计火电厂发电成本双层控制模型,上层以电煤价格预测结果为依据,根据供应商供货能力、煤炭价格、库存限制等条件,构建火电厂多周期采购计划的成本控制模型;下层以生产可用燃煤的数量与种类为基础,构建经济混煤掺烧方案的成本控制模型。以多项成本为约束条件,基于改进粒子群算法求解模型。测试结果表明,该模型能够实现入炉标单价格与总成本的降低,其中6月的总成本降低了3675.32万元,以及能够实现边际燃煤成本的降低,说明模型有很大实用意义。

摘要：本文论述了寄生电容不敏感型开关电容四象限模拟乘法器（ＳＣ－４－ＱＡＭ）的设计，并提出了一种新型的电路结构，分析了它的性能，以及元器件的非理想特性对其性能的影响和采取的补偿方法。

摘要：讨论了开关电容乘法器的设计,其中着重讨论了寄生电容不敏感型开关电容四象限模拟乘法器的设计,并提出了一种新型的电路结构,分析了它的性能,同时还研究了元器件的非理想特性对其性能的影响以及采用的补偿方法。

摘要：本雅明是一位渗透着强烈现代精神的美学家和文艺学家,在《机械复制时代的艺术作品》中,他充分论证了著名的“机械复制”理论,但并没有对这一理论所关涉到的韵味艺术和“机械复制”艺术进行直接地比较。本文从“机械复制”理论出发,将韵味艺术和“机械复制”艺术从中剥离出来,并对其中所蕴藏的隐形比较加以放大。文章最后将探讨本雅明的“机械复制”理论所蕴涵的比较对国内文艺现象的启发。

摘要：提出了基于任务定义的深空探测全域轨迹优化设计概念与实现方法。首先,对复杂任务定义、自适应模型库与多环节迭代优化等关键技术进行了详细的阐述。然后,重点讨论了深空探测全域轨迹优化设计软件平台的设计技术与系统实现。最后,基于该平台丰富的模型库,对嫦娥五号等深空探测任务的全过程飞行轨迹进行了优化设计与对比。研究结果表明,开发的深空探测全域轨迹优化设计软件平台具有复杂任务适应能力强、可拓展性好的特点,可为类似软件系统的研发提供借鉴。