摘要：随着对液晶显示器高分辨率的需求不断增长,像素设计的尺寸越来越小,分布在像素上方起支撑作用的柱状隔离子(Photo Spacer)尺寸也不断减小。柱状隔离子的顶部面积与底部面积的比值变大,提高了耐压能力,但对制程中柱状隔离子图案化的形状控制能力提出了更高的要求。在目前的材料和制程条件下,精细化的形状存在一些工艺问题,其中最典型的是顶部凹陷问题。基于以上问题,对PS凹陷进行研究;引进半导体行业中应用广泛的曝光显影模拟软件进行曝光光型分布模拟及理论分析,提出降低曝光间隙进行改善,经实验验证凹陷得到改善。实验结果表明,减小曝光间隙,由250μm降低到150μm,可以有效改善PS顶部凹陷的问题。通过减小曝光间隙,可以改变曝光光束,即高斯光束的空间分布,从而改变PS光阻受光分布,进而改变PS最终形状,即改善PS顶部凹陷问题;且高斯光束的空间分布,可通过曝光显影模拟得到,可见曝光显影模拟可分析和预估实验结果,且为问题改善提出可行的意见。