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1.3μm高速PIN光电二极管: 收藏
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引用; 《半导体光电》2001年第4期22卷 271-274页; 作者：陶启林重庆光电技术研究所重庆400060; 综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度 ,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数 ,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术 ,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的...; 综合考虑高速光电探测器的频率特性和响应度 ,优化设计了GaInAs/InPPIN光电二极管的结构参数 ,解决了长波长高速光电探测器制作中的关键技术 ,如高纯、超薄GaInAs/InP材料的液相外延生长、有源区的浅结扩散技术、为降低器件漏电采用的双层钝化膜技术和小光敏面的光耦合技术等 ,并采用同轴封装结构实现了高速光电探测器的高频封装。研制的GaInAs/InPPIN高速长波长光电探测器的 3dB带宽达到 2 0GHz ,响应度为 0 .7A/W ,暗电流小于; 来源：详细信息评论

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