摘要：研究并制备了一种半导体Si-MOS器件结构,用于Si-SiO_(2)氧化层质量表征和界面测定。实验的测试样品经过切片封装后,可在普通探针台或测试夹具中进行测试,避免了原实验中汞探针的使用,降低了成本的同时避免了汞污染的安全问题;对制作样品进行了固定电荷/可动电荷测试,分析了测试结果与样品设计的关系。同时,进一步研究了:(1)测试条件对实验结果的影响,结果表明100 kHz下的固定电荷/可动电荷测量可行性,为高频C-V测试仪的选择降低了成本;(2)制备工艺对样品性能的影响,为制作适合于不同应用场景的样品提供了参考。该研究建立的测定方法,还适用于微电子专业“MOS结构C-V法测定SiO_(2)中固定电荷及可动电荷密度”实验中的样品测定需求。

摘要：“半导体器件实验”是微电子科学与工程专业的重要必修课程。以往的实验教学中存在与理论教学脱节,与工业界标准相差甚远以及实验仪器昂贵等问题。通过建立基于实际代工工艺的半导体集成电路器件模拟测试教学实验平台,模拟最新工业标准的半导体器件的特性,使学生深入理解半导体器件的理论知识,培养创新型人才。

摘要：在国家“新工科”的战略要求下,本文通过分析工程教育目前存在的问题,结合我院近年来微电子专业本科实践教学的经验,提出了增加专题实验、开设项目设计和科研训练课程、开展ITP计划、进行专业实习、参加各类竞赛以及多种形式的校企合作等改革措施,培养学生的实践能力,激发好奇心和上进心,增强社会适应能力和社会交往能力,更好地服务国家和地方经济建设。