摘要：中子导管将冷中子束从冷源引出至散射大厅,为保证大厅工作人员的安全,提供低本底实验环境,必须设计相应的屏蔽体进行屏蔽。在已有中子导管屏蔽体初步结构设计方案的条件下,联合McStas、MCNP,采用分段计算的方法对其进行了屏蔽计算,得到了散射大厅内中子导管周围不同位置处的辐射剂量率,验证了中子导管屏蔽体结构设计方案的有效性,为进一步开展工程设计提供了依据。

摘要：准直屏蔽系统是中子照相装置的必要设备。本文采用蒙特卡洛中子输运程序(MCNP)等软件对高能中子准直屏蔽系统进行理论设计,初步确定了其材料构成和外观尺寸,从理论上确定了装置包括成像处注量率、成像距离及相应视场等关键参数。

摘要：中子成像是一种重要的无损检测方法,快中子(MeV级能量)成像技术,能够在中大型样品的轻材料缺陷检测发挥其独特优势。经过理论分析和蒙特卡罗模拟设计,采用过滤结构将绵阳研究堆热中子束线的裂变中子份额大大提高,在等效准直比约260情况下,成像位置的裂变中子注量率可以达到3×10^(5)cm^(-2)·s^(-1)。采用快中子荧光屏作为探测器,通过研发的大视场成像装置,形成了一套直接视场可达400 mm×400 mm,分辨率优于0.5 mm的裂变中子成像系统。利用超视场成像技术,该系统还能够检测横向尺寸不超过600 mm的大型样品。

摘要：极化中子照相技术通过分析极化中子束的自旋相移对样品磁场进行成像,自旋极化/分析装置是照相系统的主要组成部分.引入中子自旋极化/分析装置的极化效率参数,从中子极化矢量与磁场相互作用机理出发,重新推导探测中子强度与磁场分布的定量关系,利用谱仪模拟软件VITESS,选取bender型超镜极化器和3He自旋过滤器作为极化/分析装置,对量化修正式进行验证,并综合装置极化效率、单色器能量分辨精度和bender型极化器的几何结构等参数,初步分析极化中子照相技术的磁场定量检测能力,相关结果可为极化中子照相的实验数据处理技术研究及装置设计提供参考.

摘要：小型中子源中子照相技术具有便携性强,应用范围广的优点,在检测一些较大或难以移动的样品时较固定式(反应堆中子源)中子照相系统具有优势。采用MCNP软件对一小型中子源中子照相装置的热中子准直屏蔽系统进行了理论设计,确定中子慢化体由238U和聚乙烯构成,辅以石墨反射层和硼聚乙烯吸收层,经优化计算,预计成像处热注量率达104 cm-2.s-1以上、准直比30、成像视场20 cm×20 cm、镉比20。

摘要：热中子照相技术在检测含氢材料、重金属样品等方面是X射线等其它无损检测技术的有益补充,热中子层析技术研究在国内尚是空白,实验研究条件欠缺且代价高昂,通过仿真研究再过渡到实验研究,将有效降低研究成本,提高研究效率。文章根据中子层析照相基本原理,设计模拟样品,采用MCNP仿真计算的方法获取了样品中子投影图像,利用C++Builder研发中子层析数据获取程序和反投影滤波算法层析重建程序,重建了样品二维断面图像,样品二维断面图像与实际样品一致,证明了所采用的仿真研究流程合理可行,为中子层析照相技术的深入研究奠定了基础。

摘要：为适应CMRR冷中子成像装置配备双晶体单色器的需求,采用MC方法计算了主选择波长中子及其二次谐波中子在成像位置处不同厚度高定向热解石墨的强度,通过它们相对强度变化确定了高定向热解石墨的厚度.确定厚度后,模拟计算了成像位置的单色中子注量率、波长分辨率、有效视场及其均匀性,通过本研究为CMRR冷中子单色中子成像装置研制提供了设计参考.

摘要：冷中子照相利用穿透样品的中子和荧光屏6Li反应产生的α带电粒子与荧光材料发光,从而在探测器上记录光强度的分布。本文简单介绍了冷中子照相的特点,给出了铍与钛金属宏观总截面随能量的变化,设计特定的样品采用MCNP模拟不同能量下的中子图像,中子图像显现Bragg吸收限上下两幅图像的对比度差异,采用差分成像对两幅中子图像进行处理,凸现了冷中子照相的优点。

摘要：针对4层"钢-铅-钢-铅"的粘接结构,分别采用红外热像法、激光超声成像法和中子照相法等进行非接触检测,并对其优势和劣势进行了分析。研究结果表明:红外热像法能实现"钢-铅"粘接结构的非接触检测,但检测时加载的强烈热信号降低了缺陷信号的信噪比,使图像清晰度及大小的准确定量受到影响,需改进电磁热激励线圈的设计,并采用仿真建模分析解决上述问题;激光超声成像法能有效检测出2层粘接结构中准2以上的脱粘缺陷,但对于多层粘接结构需通过更加复杂有效的缺陷特征信号分析和提取方法等达到目的;中子照相法在检测"钢-铅"结构中的EP(环氧树脂)胶粘剂分布方面具有特殊优势,能检测出4层"钢-铅"粘接结构中准1的脱粘缺陷,是一种较理想的检测方法。