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用于脉冲γ强度测量的Ф60,1000μmPIN探测器
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《物理学报》2007年 第3期56卷 1353-1357页
作者：欧阳晓平 李真富 霍裕昆 宋献才清华大学工程物理系北京100084 西北核技术研究所西安710024 复旦大学现代物理研究所上海200433 中国工程物理研究院电子学研究所绵阳621900 
采用电阻率为10000-20000Ω·cm的高阻单晶硅材料，研制成功灵敏区尺寸为φ60mm，耗尽层厚度-1000μm的大面积厚PIN半导体探测器．设计了该类探测器厚度测量专用的反冲质子测量系统，对探测器的时间响应、γ灵敏度、漏电流、γ／n...
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