摘要：针对反激式开关电源拓扑,在基于前人对准谐振软开关研究的基础上,提出了一种简单实用的谷底检测电路,在全负载范围都能精确检测出谷底出现时刻,适用于谐振频率在一定范围变化的场合,方便外围拓扑设计.基于TSMC_0.5μm BCD工艺,经Spectre仿真实验表明,在谐振频率低于2 MHz不同负载情况下,能比较精确检测出谷底时刻(误差小于1‰).

摘要：结合Buck型DC-DC转换器的工作原理,从系统的稳定性和响应速度要求出发,提出一种高性能误差放大器及环路补偿方案。该误差放大器具有高的共模抑制CMRR和高的电源抑制比PSRR。电路结构采用CSMC 0.5μm BCD工艺,仿真结果表明,该误差放大器共模抑制比为106 dB,电源抑制比为129 dB,其性能良好,满足DC-DC转换器的系统需要。

摘要：基于CSMC 0.5μm BCD工艺,设计了一种具有高电源抑制比的带隙基准电路。此电路可以在较宽电源电压(4~36V)范围内实现较小的温度系数变化,-40℃~125℃范围内的温度系数为8.93×10-6/℃~9.02×10-6/℃。通过将基准参考点设置于负反馈环路中,能够有效地提高基准电路的电源抑制性能。当电源电压为4~36V时,电源抑制比分别为-132^-98dB@dc,-54.7^-55.5dB@1 MHz,线性调整率为0.009%/V,满足DC-DC转换器的应用需求。

摘要：基于降压型DC-DC转换器的工作原理，从系统需要出发，提出一种高性能的误差放大器。该误差放大器的输入级采用偏置电流消除结构，避免其输入对基准电压产生影响；核心电路采用对称性的差分运放结构，引入正反馈结构和负反馈电阻以提高其性能，电路结构采用CSMC 0.5μm BCD工艺。仿真结果表明该误差放大器跨导为1.5 mS，共模下限可以从0开始，共模抑制比为106 dB，失调电压为208.3μV，功耗约为100μW，验证了该放大器的良好性能。