摘要：夏直播棉花能够在较短生育期内获得与常规模式相当的产量,但其产量高效形成的机理及其与冠层微环境的关系仍不清楚。因此,本试验采用完全随机区组设计,设置6个种植密度(7.50株m^(–2)、8.25株m^(–2)、9.00株m^(–2)、9.75株m^(–2)、10.50株m^(–2)和11.25株m^(–2)),于2022-2023年在湖北武汉进行了大田试验。采用温湿度仪记录从现蕾到拔杆期间冠层温度和湿度,冠层分析仪测定结铃期冠层不同高度光辐射强度,手工收获计产。结果表明,棉花产量随种植密度增加先升后降,其中9.75株m^(–2)最高(籽棉3246.5 kg hm^(–2)、皮棉1203.2 kg hm^(–2)), 2年平均较7.50株m^(–2)提高(15.0%和17.8%)。冠层日均温、最高温、最低温随种植密度增加而降低,而冠层相对湿度、最高湿度、最低湿度随种植密度增加而增加。冠层透光率,水平方向呈“V”型分布,棉行中间最大;垂直方向中下部(离地10^50cm)随种植密度增加而减小,上部(离地50^70cm)随种植密度增加而增大。群体叶面积指数随种植密度增加先升后降,其中9.75株m^(–2)最高,2年平均为2.6。相关分析表明,棉花产量随冠层日均温和最高温升高而降低,随冠层相对湿度和最高湿度增加而增加;随冠层中下部透光率增大而减小,随上部透光率增加而增大。综上,棉花夏直播种植模式,适当增加种植密度(9.75^11.25株m^(–2))有利于提高单位面积成铃数,改善冠层微环境,如冠层透光率70cm处85%以上,50 cm处37%^40%,30 cm处14%^16%,10 cm处9%以下,冠层温度26.5^27.0℃,冠层湿度74%^77%,从而提高棉花产量。

摘要：当井下馈电开关发生故障时,只需根据门盖液晶屏的故障提示,将故障元件所对应的模块"抽出",并用新的备用模块将其"更换",即可使开关恢复正常。

摘要：目的分析颅内破裂动脉瘤介入术后影响神经功能恢复的相关因素。方法前瞻性研究。抽取2021年9月至2023年6月于河南省人民医院接受颅内破裂动脉瘤介入术治疗的104例患者作为研究对象,术后随访6个月,根据改良Rankin评分量表(mRS)将患者分为神经功能恢复不良组与神经功能恢复良好组。设计基线资料调查表,纳入所有可能影响颅内破裂动脉瘤介入术后患者神经功能恢复的因素,使用单因素、Logistic回归分析颅内破裂动脉瘤介入术后神经功能恢复的影响因素。结果研究期间1例未完成手术,3例退出研究,最终研究样本量为100例,其中神经功能恢复不良14例,占比14.00%(14/100);神经功能恢复良好86例,占比86.00%(86/100)。两组高血压、动脉瘤长径、吸烟史、合并并发症、Hunt-Hess分级、手术时机比较,差异有统计学意义(P1,P<0.05)。结论有高血压、动脉瘤长径大、有吸烟史、合并并发症、Hunt-Hess分级高、手术时机为晚期是影响颅内破裂动脉瘤介入术后神经功能恢复的危险因素。

摘要：为满足SoC外设接口高带宽、外部电路接口多样性的要求,利用可编程状态机和波形描述符存储器,设计了一种通用可编程接口IP核。分别从接口硬件连接设计、固件程序设计、波形描述符设计和仿真平台设计等方面对接口的设计流程进行了详述。以8051 CPU核为基础,利用所设计的接口IP核构建了仿真验证环境,对接口IP核编程后实现了对外部存储器的访问,并通过比较写出和读入的数据验证了设计的正确性。

摘要：设计了一种低压、低功耗、输出阻抗匹配稳定的CMOS差分低噪声放大器。基于源极电感负反馈共源共栅结构,提出了基于MOS管中等反型区最小化***的方法,以优化功耗。在共栅晶体管处并联正反馈电容,以提升电路增益。对电路的噪声系数、输出阻抗稳定性、芯片面积等也进行了优化。仿真结果表明,当电源电压为1V,工作频率为5.8GHz时,设计的低噪声放大器的噪声系数为1.53dB,输入回波损耗为-22.4dB,输出回波损耗为-24.6dB,功率增益为19.2dB,直流功耗为4.6mW。

摘要：提出一种带负反馈的新型折叠共源共栅有源电感,对相关电路结构和参数进行了设计,分析了影响有源电感性能的各种因素。基于TSMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺,利用CadenceSpectreRF对电路进行了仿真和优化,得到电感值最大为138nH,品质因子Q可达到59。

摘要：针对传统大规模数模混合So C后仿真验证过慢的问题,提出了一种数模混合SoC系统级后仿真验证平台。该平台充分利用主流EDA工具,在传统Verilog-cdl后仿真验证平台的基础上,将原本网表中耗时长的模块用Verilog模型替换,使用Verilog-cdl-Verilog仿真方法,明显加快了仿真速度。从验证环境搭建、系统脚本设计、仿真接口设计3个方面详述了仿真平台的设计流程,并通过指令集功能的仿真实现,证明了平台的可行性和可靠性。该验证平台有助于缩短大规模数模混合SoC的开发周期。

摘要：基于SMIC 0.13μm CMOS工艺,设计了一种锁定频率范围为0.25-1.25GHz的低杂散锁相环频率合成器。该电路采用一种改进的高精度电荷泵,以减小电荷共享、电流失配等非理想效应,降低了相位误差,减少了输出信号的参考杂散;采用压控电阻器作为延迟单元,设计了一种输出频率广、相位噪声低的压控振荡器。Spectre仿真显示,输出电平在0.3-1.1V范围时,电荷泵的充放电电流失配仅为0.2%,锁相环锁定后的杂散小于-90dBm,满足了低杂散的设计要求。

摘要：高阶连续时间型ΣΔ调制器提供了一种有效的获得高分辨率、低功耗模数转换器的方法.提出了一种新型的2-1-1级联的连续时间型ΣΔ调制器结构.采用冲激不变法将离散时间型ΣΔ调制器变换为连续时间型ΣΔ调制器,利用Simulink对该调制器进行系统级建模和仿真,峰值信噪比达到105dB.分析了电路的非理想因素对调制器行为的影响,以获得90dB信噪比为目标确定了电路子模块指标.仿真结果表明,该结构能有效降低系统功耗,并验证了电路的可行性.

摘要：基于镜像结构,设计了一种改进型片上集成线性稳压器。在NMOS源跟随器结构的后级单元中增加了低增益反馈回路,不仅继承了常规镜像结构良好的负载瞬态响应性能,而且获得了低的负载调整率。仿真结果表明,相比于常规镜像结构的线性稳压器,改进型线性稳压器的负载调整率降低了26.14%,静态电流为9.8μA,电源抑制比达到72.82dB。该线性稳压器可在10μs内实现0.1~100mA脉冲信号变化的快速响应,且过冲电压和欠冲电压均小于100mV。