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检索条件"作者=顾肇业"

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近红外段透射式GaAs光阴极的设计: 收藏
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引用; 《半导体杂志》1993年第3期18卷 6-13页; 作者：马建一顾肇业; 来源：详细信息评论

负电子亲和势GaAs光阴极的研究: 收藏
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引用; 《光电子技术》1994年第3期14卷 183-189页; 作者：李慧蕊顾肇业马建一丁辉敏南京电子器件研究所210016; 分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优越性进行了综合性讨论。; 分析正、负电子亲和势在发射机理上的差别,重点阐述 GaAs 光阴极的设计原理。讨论这种阴极参数的设定依据,扼要介绍它的主要制作工艺。最后,和传统的光阴极作了比较,并就其优越性进行了综合性讨论。; 来源：详细信息评论

紫外像增强管的研究: 收藏
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引用; 《光电子技术》1999年第2期19卷 83-88页; 作者：申屠浩徐汉成顾肇业南京电子器件研究所210016; 研究了采用碲铷（日盲）光电阴极、近贴聚焦、二块微通道板（ＭＣＰ）、Ｙ－２０荧光屏、２５／２５ｍｍ有效直径紫外像增强管。详细论述了该像增强管的工作原理、结构设计、制造工艺、测试方法以及应用前景等方面问题。; 研究了采用碲铷（日盲）光电阴极、近贴聚焦、二块微通道板（ＭＣＰ）、Ｙ－２０荧光屏、２５／２５ｍｍ有效直径紫外像增强管。详细论述了该像增强管的工作原理、结构设计、制造工艺、测试方法以及应用前景等方面问题。; 来源：详细信息评论

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