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TRIPLE RESURF LDMOS器件的优化设计
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《电子设计工程》2017年 第12期25卷 101-104页
作者：颜世朋 薛智民 王清波西安微电子技术研究所(771所)陕西西安710119 
提出了一种新型TRIPLE RESURF结构的LDMOS器件,与普通的TRIPLE RESURF结构不同的是埋层采用了分区注入,即在靠近源端一侧采用较高注入剂量,在靠近漏端一侧则采用较低的注入剂量。因而会降低漏端表面电场峰值,提高了击穿电压。利用SILVAC...
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