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立式氢化物气相外延反应器生长GaN模拟研究
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《中国科学（G辑）》2010年 第1期40卷 82-85页
作者：赵传阵 修向前 张荣 谢自力 刘斌 刘占辉 颜怀跃 郑有炓江苏省光电信息功能材料重点实验室南京大学物理系南京210093 
利用有限元法对立式氢化物气相外延系统工艺参数进行了优化,发现在新设计的立式氢化物气相外延反应器中,存在衬底与气体入口的最佳距离,在最佳距离位置上,沉积的均匀性最好.在设定的条件下模拟的结果表明这个距离为5cm.在此基础上,模拟...
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