摘要：研制了一款基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺的光调制器外壳,通过高速端口实现信号的传输。端口的设计采用共面波导结构的水平传输和类同轴结构的垂直传输,通过分析高速信号传输通道的等效电路和在频域上的仿真,实现端口的阻抗匹配,在保证信号完整性的前提下端口可以实现单通道28 Gbit/s的高速信号传输。将相同条件下的差分过孔结构与类同轴结构在频域和时域下展开分析,验证了类同轴结构可以更有效地保证信号完整性。利用探针测试与背靠背结构相结合的方式对样品进行测试,验证了高速端口可以在保证信号完整性的前提下实现单通道28 Gbit/s的高速信号传输速率。将该结构应用在8通道的光调制器外壳上,可以支持200 Gbit/s以上的高速信号传输。

摘要：基于高温共烧陶瓷(HTCC)工艺,介绍了一款封装尺寸为7 mm×7 mm×1.2 mm的四侧无引线扁平陶瓷(CQFN)型外壳,以满足毫米波微波器件封装的小型化需求。就如何解决陶瓷外壳高频信号传输时电磁泄漏问题,利用仿真软件分别从信号传输的不同方向对屏蔽地孔作了设计与优化。通过仿真对比,对不同区域的地孔与电磁信号的屏蔽关系进行了论述和总结。结果显示,外壳传输端口可覆盖0.1 GHz~40 GHz的宽频率范围,其插入损耗≤0.65 dB,电压驻波比≤1.50。

摘要：基于探针测试方法进行X波段功率器件外壳端口的仿真与测试差异性研究。在使用仿真软件对其进行优化后,通过HTCC(高温共烧陶瓷)工艺线制备和生产,发现使用GSG探针对该端口进行测试后的插入损耗远远大于仿真结果。通过对照实验和仿真验证等实验方法,分析出插入损耗仿真与测试的差异来源于辐射损耗,导致信号在返回路径的信号完整性受到影响。对结构进行相应的优化后插入损耗大幅减小,证明辐射损耗是造成差距的原因,通过电磁屏蔽可以得到有效解决。该研究可以为大功率器件类封装外壳的设计、测试和使用提供借鉴意义。