摘要：理解电极材料的微观电化学行为、微观结构演变和反应机理,对开发高性能电化学储能材料具有重要意义,并有望为优化高性能电化学储能器件的设计提供帮助。在透射电子显微镜(TEM)中构建微型电池,可以直接观察在电池工作状态下电极材料的形貌、成分和微观结构演变,从动力学角度理解电极材料转化和存储的过程和机制,构建电极材料微观结构-宏观性能的构效关系。综述了近年来利用原位TEM研究锂离子电池重要电极材料、锂硫电池和锂-空气电池的最新研究进展,讨论并展望了原位TEM技术在电化学储能领域的未来发展趋势。原位TEM技术对于研究理解在电池工作状态下电极材料的电化学反应行为和机理具有重要的价值,对于深入理解电池失效过程和设计高性能电池具有重要的指导意义。

摘要：在建筑结构中,转换层得到了广泛的应用,其主要用于高层建筑,具有良好的发展前景。基于此,文章阐述了带转换层高层建筑的概念,介绍了高层建筑常见的结构转换层类型,探究了转换层具体功能,分析了带转换层高层建筑结构设计的要求及方法,提出了带转换层高层建筑结构设计质量的提升措施。

摘要：门式刚架轻型房屋钢结构是一种新型轻量化结构,广泛应用于我国建筑行业,因其结构独特、性能好、工期短、施工成本低等特点受到建筑行业的欢迎。但是在实际施工过程中还是存在一定的问题,需要不断研究和改进。门式刚架结构按跨度可分为单跨、双跨和多跨形式。根据业主的意愿,也可以建在悬垂的房屋或结构上。在施工前需要进行合理科学的设计,从而完美体现门式刚架轻型房屋钢结构的特点。基于此,文章阐述了门式刚架轻型房屋钢结构设计的形式及类型,说明了门式刚架轻型房屋钢结构设计的内容及注意事项,提出了门式刚架轻型房屋钢结构设计的优化措施。

摘要：传统的单点测量环境数据的采集系统无法给出被监测区域内的准确环境数据,不能满足精确测量的要求。利用无线传感器网络具有分布式多点测量的优势,设计了基于无线传感器网络的环境温度和光照度的环境数据采集系统。实验结果表明,该系统能够实时采集测量区域的温度和光照度环境数据,并可绘制出测量区域内温度和光照度的空间分布图,实现监测区内的精确测量。

摘要：舟山市大陆引水工程马目泵站是整个工程中大陆与舟山的重要连接点,由于该泵站地处空旷的海边凹型坡地,原有的防雷系统不能有效地保护泵站,曾有遭雷击的历史,本文着重从防雷设计原理入手,根据现代全方位防雷理论体系,就如何更科学、有效、全面的对马目泵站防雷装置系统的安装设计进行了探讨。主要从电源系统、线路、LCU信号系统、直击雷防护系统和等电位接地系统等方面进行了分析,这对整个引水工程的防雷工作的实施无疑将会有一个重要的指导作用。

摘要：采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料,设计并优化外延生长条件,探索单层N型GaN(N-GaN)、多量子阱(MQW)、电子阻挡层(P-AlGaN)、P型GaN(P-GaN)材料对发光二极管(LED)器件的光电性能的影响。通过X射线衍射仪(XRD)、电致发光谱(EL)、光致发光谱(PL)等测试设备对外延片进行表征。结果表明:经优化Si掺N-GaN和垒层(QB),获得较好的(102)、(002)半峰宽,正向电压从4.46V分别降至3.85V、3.47V,发光强度从4.86mV提高到6.14mV。然后对P型AlGaN层进行Mg掺杂优化,正向电压下降至3.35V,发光强度提高到6.14mV。最后对P-GaN层进行了生长温度及退火温度的优化,结果发现正向电压从3.16V提高至3.32V,发光强度提高至6.70mV左右。全自动探针台在测试电流20mA的条件下,对芯片的电压和发光强度进行了测试,电压大致从4.5V降到3.8V左右,下降了16%。发光强度大概从110mcd提高到135mcd,提高了20%左右。结合实验结果与理论综合分析,解释了N-GaN层和QB层Si掺量,P-AlGaN层Mg掺量,P-GaN层生长温度及活化温度对正向电压和亮度的影响,从而为高质量GaN薄膜材料外延生长及高性能的LED提供了更好的实验指导与理论支持。

摘要：大功率半导体激光器是现代激光加工设备、激光再制造设备、激光医疗、激光显示以及国防设备中重要的关键基础元器件和核心组件,在工业和国防等领域有着广泛的应用。提高半导体激光器的输出功率首先需要确定影响功率输出的因素,然后通过优化外延材料、芯片结构和制备工艺来解决这些问题。因此,对大功率半导体激光器输出功率影响因素的研究具有重要的意义。基于此,主要对限制GaAs基大功率半导体激光器输出功率的因素进行了综述,总结了近几年GaAs基大功率半导体激光器在腔面灾变、载流子泄漏、双光子吸收以及纵向空间烧孔方面的研究进展,这对进一步提高半导体激光器的输出功率、优化半导体激光器的结构设计、改进外延材料的质量以及提高材料的外延技术具有重要意义。

摘要：利用MOCVD方法,在GaAs衬底上生长了不同DBR结构的红光和黄绿光AlGaInP四元外延片,并通过芯片工艺制成芯片。使用X-射线衍射仪(HRXRD)、光致发光仪(PL)、芯片光电测试仪等表征了外延片和芯片的性能,研究了红光和黄绿光AlGaInP四元外延片的发光强度与DBR结构的关系。结果表明,红光AlGaInP LED芯片的发光强度高于黄绿光,其主要原因是黄绿光有源区的内量子效率低和黄绿光DBR具有较小的反射率,从而导致较低的发光强度。本研究为今后LED全结构的芯片亮度研究打下良好基础。

摘要：垂直腔面发射激光器(VCSEL)具有低损耗、光束质量好、光纤耦合效率高、调制速率高且易于与其他光电子器件集成等优势,在光互连、光存储、高速传输和通讯等领域得到了迅猛发展。随着大数据时代的到来,对建立高带宽、低损耗的高速光通讯网络提出了更高的要求。因此,近年来VCSEL在面向高速数据通讯中提高调制速率、降低能量损耗等方面得到了广泛的研究。首先介绍了用于短距离数据通讯中的近红外波段850和980 nm VCSEL器件的基本结构,然后从高速性能的影响因素出发对其进行合理的理论设计,综述了近年来850和980 nm VCSEL高速性能的研究进展,最后展望了VCSEL在未来数据通讯领域的发展趋势。

摘要：本文介绍2040型多用切片机刀架槽体的改造与加工。所设计和加工的新刀架槽体可用来安装规格为6.35mm厚的玻璃刀,解决了玻璃条材料来源紧缺问题。