摘要：扼要介绍了适用于双面曝光观察对准显微镜的结构设计，并对双面观察对准的独特性和技术难点进行了剖析，成功地解决了该系统不能整体调焦的难题，使该系统在Ｚ向不移动的情况下达到了调焦和齐焦的目的。

摘要：当减小芯片面积时,3-D封装能减轻互相连接所带来的延迟问题,根据集成电路是否已经进行了3-D互相的设计,描述了3种选择方法。

摘要：集成电路的前缘技术是在低k介质材料上设计3个盖层的复杂结构,上面的盖层可以用TEOS(tetraethyl orthosilicate)四乙基原硅酸盐和/或氮化硅(SiN),下面的层可以在低k介质之上用氮碳化硅(SiCN),碳化硅(SiC),或CDO(carbon dopped oxide)直接生成。因此,对于适合铜CMP的选择性浆料,除了具备的高去除率之外,须是在去除上面盖层后能够在下面的介质层表面上终止的浆料。Rohm和Haas电子材料已经开发出能够有效地去除TaN,TEPS,SiN,CDO和/或SiCN,或这些材料的任一化合物的一系列浆料,或者是能够在TEOS、SiN、CDO、SiCN和SiC的任何一种或两种薄膜表面终止,这完全取决于这些特殊浆料的配方设计,通过一两种添加剂控制去除率达到要求。系列浆料中的大多数浆料研磨剂的含量较低,在低压力的情况下具有良好的去除率,为了适应多种行业的需求,高低pH值均可使用。大多数浆料是可调的,用一种或两种添加剂来控制薄膜的去除率。描述和讨论了这些浆料的改良原理。

摘要：对于3D互连、圆片级封装(WLP)和先进的MEMS器件的圆片键合,精密对准是一项关键技术,不同的MEMS,常常包含双面加工处理,而IC和CMOS制造业则只利用单面加工处理步骤,因此,圆片到圆片的对准必须使用设置在键合界面(也就是面对面)中的对准标记。论述了面对面对准方法的主要步骤,最新结果报导,用一种特殊开发的对准系统获得了≤1μm的对准精度。设备主要是为圆片对圆片的对准和键合而设计。