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基于微转印技术的金刚石上硅材料制备与表征: 收藏
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引用; 《半导体技术》2024年第9期49卷 813-817页; 作者：刘玉高定成薛忠营常永伟中国科学技术大学微电子学院合肥230026 中国科学院上海微系统与信息技术研究所集成电路材料全国重点实验室上海200050; 硅基电子器件在高温、高功率、射频领域应用时面临热管理的挑战。为解决其散热和射频损耗问题,采用微转印技术在常温常压下将单晶硅薄膜转移至金刚石衬底上,制备出新型集成电路材料——金刚石上硅(SOD)。实验结果表明,转移的单晶硅薄膜...; 硅基电子器件在高温、高功率、射频领域应用时面临热管理的挑战。为解决其散热和射频损耗问题,采用微转印技术在常温常压下将单晶硅薄膜转移至金刚石衬底上,制备出新型集成电路材料——金刚石上硅(SOD)。实验结果表明,转移的单晶硅薄膜表面平整、无明显损伤,保持了其原有的完整性。透射电子显微镜的观察结果进一步显示,金刚石与硅之间的界面结合紧密,不存在纳米级间隙。界面热阻测试结果显示,SOD样品的有效界面热阻(R_(EI))为30.30m²·K/CW,明显优于SOI样品的R_(EI)(376.78m²·K/CW)。该研究验证了SOD材料在热管理方面的潜力,也为未来新型硅基器件的设计与应用提供了参考。; 来源：详细信息评论

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