摘要：为探究沐川乌骨鸡生长早期黑色素沉积的选育指标和分子标记,本研究选取35日龄54只沐川乌骨鸡作为研究对象,测定胸肌黑色素含量和皮肤色差,利用实时荧光定量PCR检测PMEL17基因在不同组织中的表达,利用Sanger测序挖掘PMEL17基因的SNPs位点,统计突变位点基因型频率,与胸肌黑色素含量进行关联分析。结果表明,胸肌黑色素含量与胸皮黄度b值存在极显著正相关,与腿皮L值存在显著正相关;PMEL17基因在皮肤组织中表达量最高;在PMEL17基因上共发现5处突变位点,其中SNP G-553A位点与沐川乌骨鸡黑色素沉积相关,且该突变位点上AG基因型为优势基因型。综上所述,35日龄时沐川乌骨鸡胸皮黄度b值和腿皮亮度L值可作为胸肌黑色素含量初步估测的指标;PMEL17基因与沐川乌骨鸡胸肌黑色素沉积有关联,显著相关的SNP G-553A位点可作为胸肌黑色素沉积的分子标记,本研究为沐川乌骨鸡的选育提供了理论基础,丰富了地方品种种质资源特性。

摘要：为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4500 V沟槽栅IGBT芯片的研制。使用TCAD仿真软件,对4500 V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析,明确各方面设计与芯片性能的关系。根据总体设计目标,确定相应的芯片结构和工艺参数,并对4500 V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证。验证结果显示:4500 V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期,芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化。

摘要：面对我国城市中心区日益突出的用地紧张、交通拥堵等问题,地下空间的开发成为城市进一步拓展的重要方向。如何科学地综合开发地下空间,可以从地下空间开发水平评价体系入手展开相应研究。本文研究构建了公共中心型地铁站域地下空间综合开发水平评价方法,并通过实证应用进行示范性评价操作,全面分析了大连该类地下空间的开发水平,深入分析了现状的不足,为大连未来地下空间的建设提出了指导性建议。

摘要：基于现有工艺平台设计一个多级场板终端结构:在有源区最外围元胞和场板之间加一个P-Ring环,可以降低第一级场板边缘下的电场强度;改变第四级场板氧化层厚度,可以调整IGBT击穿电压值;在工艺过程中在淀积第四台阶氧化层之前先淀积一薄层SiOxNy薄膜作为腐蚀阻挡层,可降低对工艺精度的要求,同时提高器件可靠性;多级场板终端结构可以阻止器件表面电荷进入硅表面改变硅表面电势,提高器件的稳定性和可靠性。将此终端用在1 200V NPT Planer IGBT结构上进行流片验证,击穿电压可达1 300V以上。

摘要：基于现有工艺平台开发了一款具有宽安全工作区的高压IGBT芯片。该芯片元胞采用场截止结构、载流子增强技术结合背面激光退火工艺降低器件饱和电压,通过优化载流子存储层的掺杂分布,结合背面透明集电极的增益优化,降低器件雪崩风险,提高器件的安全工作区。经流片测试结果显示饱和电压2.6 V,芯片在125°C温度下可实现5倍以上额定电流安全关断,短路电流可在30μs内安全关断,具有宽安全工作区水平,实现饱和电压、关断损耗和安全工作区的折衷。

摘要：基于现有工艺平台设计一款1700V／100A非穿通型绝缘栅双极晶体管器件（Nonpunchthrough insu—latorgatebipolartransistor，简称NPT-IGBT），元胞采用平面型结构，元胞注入采用自对准工艺，背发射极采用透明集电极技术，对其静态特性进行工艺仿真。仿真结果显示，调整P阱注入剂量及P阱推结时间可以改变器件的阈值电压，调整P阱及背面P^＋集电极注入剂量可以改变器件的饱和电压。将此设计进行流片验证，结果显示击穿电压在2100V以上，饱和压降在2．5～2．7V之间，阈值电压在3．9～5．9V之间，实测值和仿真值相差不大，在误差接受范围之内。

摘要：本文根据禽痘病毒(FPV)基因组中禽网状内皮组织增生症病毒(REV)常见整合区域的序列设计合成一对引物,对国外一株FPV疫苗进行了PCR扩增,结果扩增出一条1478bp的片段,经过测序和序列分析表明该片段为REV和FPV的整合序列,FPV序列中整合了大小为193bp的REV长末端重复序列,进一步比较显示该序列与国外REV毒株APC566、713和SNV的同源性分别为:99.6%、98.0%和87.3%,与我国REV分离株HA9901的同源性只有83.6%。同时该REV整合序列与国外已经测定的FPV毒株AJ581527、AY255633、AF198100、AF006064和AF246698比较时发现,这些毒株中含有的REV序列不仅完全一致,而且REV序列的插入位点也完全相同。这说明国外FPV疫苗中不仅含有REV整合序列,而且已经存在多年了。

摘要：胸腰椎骨折伴截瘫是骨科常见的创伤之一,70年代以后,由于X线检查技术的进步,特别是CT及MRI的应用,使人们对脊椎骨折中脊髓神经所受打击或压迫的因素大多来自硬脊膜前方获得了公认.许多作者主张采用椎管前方或侧方减压[1 6],并报道其各自术式和效果.我院于90年代设计了经椎弓根椎体后份切除减压椎体钉固定治疗胸腰椎骨折伴截瘫24例,取得良好效果.

摘要：使用TCAD仿真软件对3 300 V沟槽栅IGBT的静态特性进行了仿真设计。重点研究了衬底材料参数、沟槽结构对器件击穿电压、电场峰值等参数的影响。仿真结果表明,随衬底电阻率增加,击穿电压增加,饱和电压和拐角位置电场峰值无明显变化;随衬底厚度增加,击穿电压增加,饱和电压增加,拐角位置电场峰值降低;随沟槽宽度增加,饱和电压降低,击穿电压和拐角位置电场峰值无明显变化;随沟槽深度增加,饱和电压降低,击穿电压无明显变化,拐角位置电场峰值增加;随沟槽拐角位置半径增加,击穿电压和饱和电压无明显变化,但拐角位置电场峰值减小。选择合适的衬底材料对仿真结果进行实验验证,实验结果与仿真结果相符,制备的IGBT芯片击穿电压为4 128 V,饱和电压约为2.18 V。

摘要：基于现有仿真平台,设计一款3 300V/50A逆导型绝缘栅双极晶体管器件(逆导型IGBT或RC-IGBT),元胞采用场截止型平面栅结构,元胞设计中采用载流子增强技术(EP),元胞注入采用自对准工艺,背面P型集电极采用透明集电极技术,降低IGBT工作模式下的饱和压降。采用二维数值仿真研究了器件结构及结构参数对器件性能的影响,通过结构参数拉偏,折衷优化IGBT与内集成二极管的性能参数,仿真得到的3 300V/50A逆导型IGBT器件饱和压降为3.4V,二极管导通压降为2.3V,阈值电压为5.6V,击穿电压为4 480V,与相同电压等级的分立IGBT器件和二极管性能相当。