摘要：第二课堂活动是第一课堂的必要补充,也是进一步提高学生基本素质的必要途径。韩山师范学院微课联盟面向师范生,将微课设计理论与微课制作相结合开展第二课堂下的微课教学,采用教学型专才培养、复合型人才培养两种模式,提供独立于第一课堂外师范生设计、开发与应用微课的培养方式,阐述第二课堂活动中培养师范生微课教学技能的可行性,为高校师范生微课技能培养提供借鉴与参考。

摘要：设计并实现了一种双路12位电压输出型数模转换器(DAC)。采用"10+2"分段式结构,高10位采用开关树电阻串DAC架构,保证了DAC良好的单调性。低2位采用电流舵DAC架构,从整体上减小了DAC的面积。12位DAC未经修调即可实现12位转换精度。该DAC采用0.35μm标准CMOS工艺实现,芯片尺寸为2.59mm×2.09mm。测试结果表明,在电源电压为5V时,DAC的功耗为19.5mW,DNL为-0.2LSB,INL为-2.2LSB,输出建立时间为2.5μs。在采样频率为480kS/s、输出频率为1kHz的条件下,DAC的SFDR为65dB。

摘要：对MOS器件总剂量辐照机理的研究,多从γ射线在SiO_2中产生电子-空穴对,以及γ射线作用在SiO_2-Si界面上产生新生界面态方面出发,分析γ射线对MOS器件的阈值影响,但很少分析γ射线对高压MOS器件漏源击穿电压的影响。文章针对低剂量γ射线对高压PMOS器件中漏源击穿电压的作用进行综合分析;重点研究了低剂量辐照情况下高压PMOS器件的漏源击穿电压特性相对于常规剂量辐照后的变化。研究表明:低剂量的γ射线会引起高压PMOS器件漏源发生严重漏电;高压PMOS器件版图设计不当时,长期的低剂量γ射线会引起高压CMOS集成电路发生功能失效的风险。

摘要：介绍了多晶硅电阻非线性度对信号链整体电路性能的影响,分析了多晶硅电阻非线性产生的原因。提出了衬底电位补偿和组合多晶补偿两种非线性补偿设计方法。采用仿真和测试,对比了未经补偿、新补偿方法的12位D/A转换器的性能。结果表明,经过多晶硅电阻补偿和非线性补偿后的D/A转换器达到了更优的线性度。

摘要：设计了一种14位乘法型D/A转换器。采用高3位温度计编码、低11位二进制编码的分段电流模R-2R电阻网络结构,规避了高分辨率二进制电流模R-2R电阻网络开关尺寸大、版图匹配难度大的缺点。基于混合信号CMOS工艺进行了流片,实测DNL在±0.5 LSB以内,INL在±0.8 LSB以内。该D/A转换器适用于工业控制、仪器仪表等领域。