摘要：本文介绍清华电子系正在研制的一部大型微波单片集成电路CAD软件.该软件用于MMIC及MIC模拟电路的分析与优化设计,主要可进行低噪声放大、宽频带放大、功率放大、混频、滤波、天线及匹配网络等电路设计.针对MMIC的特点,采用了多种先进的数值分析方法.在元件分析方面使用了场匹配法、直线法、模型法;电路方面采用元件灵敏度分析、矩量法全电路分析、谐波平衡非线性分析、蒙特卡洛成品率分析;优化技术上利用全域随机优化、梯度优化、灵敏度优化等.经计算与验证,该软件精度高、效果好、使用方便.目前仍在进一步开发研究.

摘要：为了获得低温放大电路最佳的驻波比和噪声温度,运用级联二端口网络概念,通过矩阵变换方法,给出电压驻波比、增益和噪声系数的显式公式。为分析晶体管源极电感性网络对最佳噪声设计的影响,计算了最佳噪声信源阻抗的校正公式,用于选择合适的源极匹配网络。用上述方法设计的码分多址(CDMA)频段低温微带混合型放大器,低温(77K)实际测量得输入驻波比1.3,输出驻波比1.7,增益大于18dB,等效噪声温度不大于30K,与设计相符,证明提出的优化函数和改进的噪声模型是准确的。

摘要：为用HEMT晶体管设计L波段低驻波比放大电路,本文用输入无源复反射系数在输出反射平面上的共轭匹配区表达式,将驻波比约束转化为无源匹配区域的映射.同时为了计算放大电路低温下噪声,通过有损输入模型导出了噪声的温度关系式.实测CDMA-830MHz高温超导前端放大器噪声温度小于30K,输入驻波比小于1.3,输出驻波比小于1.8,增益大于17dB.

摘要：本文对无耗型ＭＥＳＦＥＴＮ极注入混频器电路工作原理进行了分析，在对这种混频器进行ＣＡＤ研究中，提出了ＭＥＳＦＥＴ模型扩展技术，在此基础上进行了Ｋｕ波段无耗型ＭＥＳ－ＦＥＴ混频器单片集成电路的设计与研制，混频器电路的测试结果与计算相符，性能达到：变频增益－２ｄＢ，，噪声系数７～８ｄＢ．

摘要：计算复杂系统的散射参数，会出现矩阵不满秩，这在ＣＡＤ中导致计算的中断。本文分析了这种奇异的原因，指出这对应于该子网络处于谐振状态，处理该情形的计算方法也一并给出，这种算法在计算机辅助设计中得到了应用。

摘要：研究目的在于分析光电集成电路（ Ｏ Ｅ Ｉ Ｃ）光接收机中电感技术的作用和原理，以及最佳电感设计规则。基于精确的有源器件（包括金属半导体金属光电探测器和高电子迁移率晶体管）噪声等效电路模型和微波单片集成电路（ Ｍ Ｍ Ｉ Ｃ）无源方型螺旋电感等效电路模型，提出了一种简单的计算光接收机跨阻特性和噪声特性的矩阵分析方法，讨论了电感对光接收机性能的影响，指出了电感的设计需要在光接收机稳定性、跨阻特性。

摘要：采用清华大学自行编制的混频器非线性分析程序ＴＵＭＩＸＥＲ，设计并研制了Ｋａ频段ＭＭＩＣ平衡混频器。在对混频器电路的大信号非线性仿真过程中，进行了多频谐波平衡分析，给出了混频器电路在多频输入情况下的输出频谱，对电路中的各种分布参数元件及微带不连续性区域，采用场匹配法作了严格计算。所研制的Ｋａ频段单片集成混频器电路，制作在一块２ｍｍ×３ｍｍ的ＧａＡｓ芯片上，在３１～３６ＧＨｚ频段上，混频器的噪声系数小于１０ｄＢ。

摘要：(接上期第44页)3 E类放大器设计与特性分析1977年***[1,2]提出分析E类放大器的最佳工作条件的方法,其后也不断有分析、设计E类放大器的新方法.但这些方法也存在种种缺点[14,23],诸如未考虑最佳工作条件、优化算法耗时费力、算法的不收敛性以及对输出功率等电路参数不可控制等.1994年,***与***[26]提出了简便易行的基于分析的电路参数设计方法以及一种新的分析方法,文献[40]又加以改进,并取得了理论值与实验值相吻合的结果,说明这种设计分析方法是合理的.这种方法的优点是在给定频率、输出功率、电源电压等参数后,用电路参数设计方法可设计出最佳工作条件下的放大器的电路元件值,并可计算此时的主要工作波形诸如输出电压、开关管(电路中的晶体管工作时处于开关工作状态,以下称为开关管)电压、电流,以及放大器效率、输入功率、输出功率、损耗功率等结果.

摘要：为了弥补 SPICE电路模拟程序中高电子迁移率HEMT器件等效电路噪声模型的缺陷 ,提高高速电路设计的精度 ,提出了一个新的用于 SPICE电路模拟器的 HEMT噪声模型 ,该噪声模型的优点在于由两个不相关的噪声电压源和噪声电流源组成 ,很容易在 SPICE程序中实现。文中给出了利用矩阵关联技术提取噪声等效电路模型参数的方法 ,实验结果说明 。

摘要：提出一种分形结构的系统化生成方法,通过此方法可以系统化产生大量分形结构。这些分形结构可以用于分形天线/分形天线阵列的设计或其它分形结构的应用中。文中给出了以正方形为初始图形构造的多种分形几何图形,并给出了一些采用这些分形结构制成的分形贴片天线的实验结果。