摘要：锗硅异质结双极晶体管(Silicon-Germanium Heterojunction Bipolar Transistors,SiGe HBT)具有高速、高增益、低噪声、易集成等多种优势,广泛应用于高性能模拟与混合信号集成电路。同时,基区能带工程带来的优异低温特性以及良好的抗总剂量、抗位移损伤能力使其拥有巨大的空间极端环境应用潜力。然而,SiGe HBT固有的器件结构使其对单粒子效应极为敏感,并严重制约了SiGe电路综合抗辐射能力的提升。针对上述问题,综述了SiGe HBT单粒子效应及加固技术的研究进展,详细阐述了SiGe HBT单粒子效应的基本原理,分析了影响单粒子效应敏感性的关键因素,并对比了典型加固方法取得的效果,从而为抗辐射SiGe工艺开发和电路设计提供参考。

摘要：尘肺病是广大矿工身体健康的潜在杀手,而我国又是尘肺病发病较严重地区,合理佩戴防尘口罩可以较有效地预防尘肺病的发生,但是,传统的自吸过滤式防尘口罩,呼吸阻率大,人员会有憋气感。针对传统防尘口罩的弊端,提出了用动力送风,并将含粉尘的矿井空气经过水洗后供给人员呼吸的设想。简述了矿用动力送风湿式防尘口罩的结构、原理,设计等内容,为矿山尘肺病的预防提供了一种新思路。

摘要：通过软件模拟解释了SoC静态随机存储器单粒子实验中发现的多单元翻转以及物理地址存在固定差值的现象。采用Cadence软件设计了3X3 SRAM阵列及必要的外围电路;分析比较了串联和并联理想电流源替代单粒子瞬态电流脉冲的局限性,提出了一种新的电路结构来修正理想电流源串联引发的错误;采用软件模拟方法实现了多位翻转和多单元翻转仿真,分析认为多位翻转和多单元翻转可以通过外围电路进行相互转换,实验所用SoC存储器具有较好的抗多位翻转性能。