摘要：为了解决传统功率通路中肖特基二极管导通损耗较大的问题,设计了一款高精度可编程限流双通道理想二极管功率通路,基于0.18μm BiCMOS工艺进行了流片验证.采用了新颖的自适应电源选通控制电路,避免PMOS功率管的寄生体二极管导通的风险,并使PMOS功率管导通阻抗仅为40 mΩ.芯片实测结果表明:单个理想二极管功率通路在4 A电流条件下,-40°~125°温度范围内传输效率达到92%以上;而且电路内部集成了高精度可编程限流保护电路,单个通道实现了0.15~4 A范围内限流阈值调节.

摘要：研制成功一款彩屏手机用262144色132RGB×176-dot分辨率TFT-LCD单片集成驱动控制电路芯片,提出了基于低/中/高混合电压工艺、数模混合信号VLSI显示驱动芯片的设计及其验证方法,开发了SRAM访问时序冲突解决电路、二级输出驱动电路和动态负载补偿输出缓冲电路等新型电路结构,有效减小了电路的功耗和面积,抑制了回馈电压的影响,提高了液晶显示画面质量。采用0.25μm混合电压CMOS工艺实现的工程样片一次性流片成功,整个芯片的静态功耗约为5mW,输出灰度电压的安定时间小于30μs,芯片性能指标均达到设计要求。

摘要：针对高频DC-DC开关变换器,提出了数字控制DC-DC开关变换器的邻周期采样(adjacent cycle sampling,ACS)控制方法,缓解硬件处理速度与系统瞬态性能之间的矛盾。依据纹波控制方法,ACS控制算法利用硬件空闲阶段采样数据,增大环路预留时间,消除占空比的影响。采用ACS控制算法,推导出适用于后缘调制降压型DC-DC开关变换器的数字V2控制律和电流控制律,并且研究了次谐振荡现象及其数字斜坡补偿消除方法。仿真结果表明,在相同的硬件条件,对于负载的瞬间扰动,数字V2控制较数字电流控制具有更快的瞬态响应速度;与现有技术相比,ACS控制方法可有效提高系统的瞬态响应性能。

摘要：提出了应用于TFT-LCD单片集成驱动芯片的Top-down设计技术,并成功开发了一款26万色、176RGB×220分辨率的TFT-LCD驱动芯片.该芯片是典型的混合信号超大规模集成电路芯片,采用0.18μm HV CMOS工艺制造.在26万色显示模式下,芯片的静态功耗是5mW,输出驱动电压的建立时间(0.2%误差范围内)小于26μs.

摘要：在高精度数字DC-DC变换器设计中,必须建立变换器功率级的精确模型。通过分析现有功率级离散模型与连续模型的拟合度,建立了拟合程度更高的修正离散功率级模型。为简化数字控制器设计,针对修正离散功率级模型,提出了一种含单一设计参数的数字补偿器设计方法,并分析了该补偿器对系统稳态和瞬态性能的影响。基于AlteraCycloneIIIFPGA开发板,实现了数字Buck变换器,测试结果表明:1.8V输出电压下,电压纹波率小于1%;0.4A负载电流跳变时,过渡时间为0.22ms,实验结果证明了修正离散功率级模型的精确性及数字补偿器的有效性。

摘要：针对采用触摸预测和窗口采样(TPWS)稀疏读出策略实现的电容触摸屏系统容易受到显示噪声和充电器噪声干扰的问题,本文提出了并行互补驱动和差分感应的方法以提高系统的信噪比。基于本文提出的并行驱动和差分感应方法,并结合TPWS系统的特点,采用0.35μm CMOS工艺设计实现了一个48通道电容触摸屏模拟前端IC,并设计了一个11.6in原型触摸屏系统用于评估该IC的性能。测试结果表明,本文设计的IC不仅能满足TPWS系统对于点测量和线测量的功能需求,并且系统的信噪比从原来的25.0dB提升到了35.8dB。

摘要：针对手机用TFT-LCD驱动控制芯片的应用环境具有高噪声、毛刺持续时间长的特点,提出一种采用电容充放电延时和反馈技术的抑制毛刺复位接口电路。该电路可以消除持续时间长达数微秒的单个毛刺。另外,通过自动选择不同的充放电路径,可实现不同的延迟时间,从而可以消除毛刺的累积效益。设计的复位接口电路已经成功应用于176RGB×220分辨率、26万色手机用TFT-LCD驱动控制芯片。采用0.18μmCMOS中压工艺的HSPICE仿真以及工程样片流片结果表明,所设计的复位接口电路的性能完全满足TFT-LCD驱动控制芯片的复杂应用环境要求,并且具有面积开销较小的特点。

摘要：AM-OLED(有源矩阵-有机发光二极管)被称为下一代平板显示技术.在AM-OLED驱动控制芯片的电源电路设计中,电荷泵电路的设计尤为关键.电荷泵的功能是对输入电压按一定倍数进行DC-DC升压、降压和反压,为其他模块提供供电电压.在详细分析AM-OLED驱动控制芯片对电源电路需求的基础上,完成了对电荷泵系统的Verilog-A建模和设计,最后采用0.16μm HV工艺对电路进行了HSPICE仿真验证.

摘要：在分析各种超宽带(UWB)接收机系统结构的基础上,提出了一种低功耗IR-UWB接收机结构。该结构基于非相干通信机制,使用自混频技术和脉冲宽度调制方式(PPM)。在该结构中,低噪声放大器(LNA)的低功耗优化是系统低功耗实现的关键。综合分析各种宽带LNA结构,提出了一种低功耗LNA设计。该LNA采用65 nmCMOS标准工艺实现,设计带宽为3.1～5 GHz,电源电压为1 V,功耗为1.5 mW。测试结果表明,该宽带LNA的输入阻抗匹配优于-10 dB,增益高达14.5 dB,而噪声系数为5.85 dB。

摘要：DAC和驱动Buffer是TFT-LCD源驱动电路芯片中的重要模块,决定着芯片的主要性能。文章讨论了传统的R-DAC结构及其用于10-bit TFT-LCD源驱动电路时的弊端,详细阐述了新型R-DAC+C-DAC的原理以及设计方法,并采用0.35μm 5VCMOS工艺设计和实现了该电路。Hspice仿真结果表明,所设计的DAC电路的DNL和INL分别小于0.4LSB和1.5LSB,输出电压的建立时间小于3.5μs。该新型结构DAC的面积约是传统结构面积的1/8,且能够实现10亿色(210×210×210)的全真彩显示。