摘要：短路能力是衡量功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET等)性能的重要指标,然而SiC MOSFET的短路性能还没有得到充分的研究。为掌握SiC MOSFET在短路工况下的特性,设计一套SiC MOSFET非破坏性短路测试实验平台,从短路脉冲宽度、栅源极电压UGS、栅极电阻RG、漏源极电压UDS、杂散电感LS、壳温度TCASE等方面对1 200 V/36 A SiC MOSFET的短路特性进行全参数实验,综合评估和分析SiC MOSFET器件在不同参数下发生短路的开关瞬态特性。

摘要：碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态特性。现有的SiC MOSFET并联均流研究并没有全面地分析器件参数对并联均流产生的影响。因此,测试了30个器件在通态电阻、阈值电压、跨导和寄生电容上的差异并理论分析了不同特性参数对并联动静态均流所造成的影响,设计了SiC MOSFET并联均流实验的平台,且在排除电路参数以及测量系统可能引入的误差的条件下,针对不同器件参数的差异度进行实验,最后综合理论分析和实验结果,得出SiC MOSFET不同器件特性参数的差异度分别对静动态均流的影响以及这些影响的综合作用关系。

摘要：目的:目前对桂花的研究主要集中在分类、香味、园林利用等方面,对其树干液流与环境因子之间关系却鲜有报道。研究桂花树干液流变化特征,分析其与温度、相对湿度、降雨、太阳辐射等环境要素间的响应,探索树干液流速率与环境要素间的线性与非线性关系,以阐明桂花蒸腾耗水规律并为其水分管理提供依据。方法:选取3棵具形态学特征一致的桂花作为标准样树,每棵样树在离地面1.3 m处的树干两侧各安置两个探针,对树干液流进行连续观测,以测定的平均值作为树干液流最终数值。同时建立便携式气象站,同步监测环境因子,绘制液流速率与气象要素同步变化过程曲线,对其进行相关分析与回归分析,并建立模型。结果:桂花日液流速率白天高夜晚低,日液流量:晴天 > 阴天 > 雨天。桂花液流日累计量夏季较大且变化幅度较大,冬季较小且平缓。液流速率(F)与相对湿度(RH)、温度(T)、饱和水汽压差(VPD)、太阳辐射(S)、风速(W)的Pearson相关系数分别为:−0.682、0.726、0.708、0.848、0.716。结论:桂花液流呈现明显的“日高夜低”现象,为“几”字型单峰曲线,降雨对树干液流速率影响明显,液流速率和液流量晴天远超阴雨天。液流速率与各环境因素均显著相关,其中饱和水汽压差、相对湿度与太阳辐射为主要影响因素,通过拟合得到多元线性回归模型为:F = 5.227RH + 122.875VPD + 48.094W + 28.397S − 520.732 (R2 = 0.886)。