摘要：为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_(3)N_(4))应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si_(3)N_(4),使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率f_(T)和最高振荡频率f_(max)。采用SILVACO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明:在埋氧化层厚度为190nm,基区Ge组分为17%~30%的阶梯型分布且淀积Si_(3)N_(4)薄膜引入应力时,截止频率f_(T)约为638GHz,最高振荡频率f_(max)约为795GHz。与传统的SOISiGeHBT相比,截止频率f_(T)提高了38GHz,最高振荡频率f_(max)提高了44GHz。