摘要：基于区域缩减思想,集整基于精确动力刚度矩阵的频率波数域(FK)半解析方法和有限元(FE)数值方法各自优势(FK精确高效模拟一维波速结构地震波传播;FEM具有丰富单元和本构类型,可精细模拟工程结构地震反应),提出了一种从震源到工程结构全过程地震反应模拟的FK-FE混合方法。并将FK代码作为插件二次开发到大型商业有限元软件ABAQUS中,实现了ABAQUS平台下从震源到工程结构的全过程宽频地震反应物理模拟。验证了FK-FE混合方法正确性,进而将其应用于位错点源作用下美国SAC机构设计的9层Benchmark抗弯钢框架结构全过程0 Hz~15 Hz宽频地震反应模拟,重点探讨了地壳层波速结构和近地表场地条件对框架结构地震反应的影响。研究表明:地壳层速度结构和场地类别对该结构的地震反应均有显著影响,地壳层速度结构3(较硬)相比速度结构1(较软),结构最大位移和层间位移角分别减小了22.7%和62.0%;Ⅱ类场地相较于Ⅳ类场地,结构最大位移和层间位移角分别减小了22.3%和44.7%。

摘要：数字技术基础课程是大电类必修的专业基础课程,编码器与译码器是其中重要的教学内容。传统的教学方案存在着知识点碎片化、理论与实践分离等问题,文章将编码器与译码器这两部分教学内容进行了融合,用“小-中-大”三级工程训练项目重构教学内容,由浅入深地培养学生形成“知识点-知识链-复杂系统”的工程思维模式,并通过对项目设计方案的不断改进、逐级优化,“螺旋递进”地培养学生解决复杂工程问题的能力,从而实现学以致用、知行合一的教学目标,提高教学效果与人才培养质量。

摘要：氧化镓作为新一代宽禁带材料,其器件具有优越的性能.本文仿真研究了n^(+)高浓度外延薄层对氧化镓肖特基二极管的势垒调控.模拟结果显示,当n型氧化镓外延厚度为5 nm、掺杂浓度为2.6×10^(18)cm^(–3)时,肖特基二极管纵向电流密度高达496.88 A/cm^(2)、反向击穿电压为182.30 V、导通电阻为0.27 mΩ·cm^(2),品质因子可达123.09 MW/cm^(2).进一步研究发现肖特基二极管的性能与n^(+)外延层厚度和浓度有关,其电流密度随n^(+)外延层的厚度和浓度的增大而增大.分析表明,n^(+)外延层对势垒的调控在于镜像力、串联电阻及隧穿效应综合影响,其中镜像力和串联电阻对势垒的降低作用较小,而高电场下隧穿效应变得十分显著,使得热发射电流增大的同时,隧穿电流得到大幅度提升,从而进一步提升了氧化镓肖特基二极管的性能.

摘要：嵌入式系统是一门面向应用、具有很强实践性与综合性的课程,教学实践环节至关重要。本文设计了基于嵌入式系统的矿井水仓水位测控装置的教学实践案例,对装置的功能需求、总体架构、硬件电路、软件程序等进行详细阐述,以嵌入式最小系统、传感器信号收发、水泵控制驱动、人机交互和以太网通信为基本任务模块进行案例实施和评价,通过教学模式的创新将实践教学与理论教学深度融合,培养学生嵌入式系统开发的工程实践能力。

摘要：结合"集成电路制造技术—原理与工艺"课程特点与优势,分别从社会主义核心价值观和党史教育角度深度挖掘集成电路制造核心技术相关思政热点,达到多角度课程思政融合协同育人.研究提出了课程思政实施的具体思路,辅助"互联网+"技术,在教学目标、教学设计、教学过程及教学管理环节有效融入社会主义核心价值观和党史教育等思想政治典型素材.这不仅能够提高课堂教学效果,而且有助于实现价值导向和专业知识有机统一,形成协同效应,从而实现铸魂育人和立德树人的归宿.

摘要：文章讨论了Multisim仿真软件在《数字电子技术基础》课程教学中的应用,通过对译码器、二十四进制计数器和555触摸定时开关电路的设计与仿真,使学生能够掌握电路的工作原理以及如何设计电路参数,激发学生对电路分析与设计的学习兴趣,调动学生学习主动性,培养学生动手能力和创新能力,提升课堂教学效果。

摘要：本文分析了智慧课堂线上线下混合教学模式的理论,详细解读了各个环节的内涵要求。以数字电子技术基础课程为例,改革传统教学方式,重新设计了教学各环节要素,包括教学理念、教学手段、教学模式、教学质量评价体系,并在教学中融入课程思政;以异步清零法设计计数器的内容作为具体案例,再现了其教学应用。这种教学模式在课前、课中、课后能全方位、多角度的、实时的跟踪学生的学习进展。经过4个学期的实践显示,学生的成绩得到了明显的提高,教学效果明显提升。

摘要：针对“模拟电子技术基础”课程目前存在的问题进行了探索性改革,以学生为中心,以产出为导向,从模块化教学内容、课程思政、教学模式、改革评价模式等方面对课程进行了建设,对“对接企业—线上线下—实训提能—以赛促教”四位一体的多元化教学模式进行了详细讨论,通过开放性实验和课程设计,合理引入行业背景知识。教学改革结果表明,学生的学习积极性及工程实践创新能力得以提升。

摘要：本文研究HfO2掺入Al替位Hf杂质和氧空位共同掺杂对电荷俘获型存储器存储特性的影响.HfO2作为高介电常数材料由于具有缩小器件尺寸、提高器件性能等优势,被广泛用于CTM的俘获层.采用MS和VASP研究了HfO2俘获层中掺入Al对氧空位形成能的影响.同时计算了两种缺陷在不同距离下的相互作用能.计算结果表明在HfO2中掺入Al使得氧空位的形成能降低,并且三配位氧空位的形成能比四配位氧空位的形成能降低的更多.通过研究Al和三配位氧空位两种缺陷间不同距离的三种情况,计算结果表明当缺陷间距为2.107?时,体系的电荷俘获能最大;量子态数最多;布居数最小、Al—O键最长.通过研究三种体系写入空穴后键长的变化,得出当缺陷间距为2.107?时,写入空穴后体系的Al—O键长变化最小.以上研究结果表明,掺入Al后可以有效提高电荷俘获型存储器的数据保持能力.因而本文的研究为改善电荷俘获型存储器数据保持特性提供一定的理论指导.

摘要：低功耗技术,如多电源多电压和电源关断等的应用,给现代超大规模系统芯片可测试性设计带来诸多问题。为此,采用工业界认可的电子设计自动化工具和常用的测试方法,构建实现可测试性设计的高效平台。基于该平台,提出一种包括扫描链设计、嵌入式存储器内建自测试和边界扫描设计的可测性设计实现方案。实验结果表明,该方案能高效、方便和准确地完成低功耗系统芯片的可测性设计,并成功地在自动测试仪上完成各种测试,组合逻辑和时序逻辑的扫描链测试覆盏率为98.2%。