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基于背向曝光的GaN基脊型LD制备工艺改进
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《半导体光电》2012年 第4期33卷 503-506页
作者：鲁辞莽 王磊 孟令海 王建玲 康香宁 胡晓东北京大学宽禁带半导体中心北京100871 
GaN基脊型激光二极管(LD)的制备工艺中,面临的一个主要困难是p电极和窄脊结构的制备受到光刻对准精度的严重制约。设计和验证了一种基于背向曝光技术的激光器制备工艺。通过预先沉积一层200nm的铝作为挡光掩模和牺牲层,利用ICP蚀刻制备...
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