摘要：介绍一种单面构造的工作于推挽方式的微机械硅电容压力传感器．详细论述了线性化设计原理和传感器制作工艺．测试结果表明，该传感器可以将线性度提高一个量级．

摘要：本文对方膜的硅压力传感器结构进行了应力非线性的计算分析,得出了应力-压力关系非线性与压力量程、膜的几何参数以及器件位置的关系,并给出了实现线性最佳化设计的结果.实验与理论结果的比较表明:(1)压阻效应非线性很小,压力传感器的非线性主要决定于应力非线性;(2)方膜边缘的四端力敏电阻设计不仅灵敏度高,而且有较好的线性;(3)进一步改进压力传感器精度的方法是选用应力线性优良的结构.

摘要：本文用统计方法对择优生长的多晶硅横向压阻进行了分析:计算了、、、、、、等低指数晶向择优生长的P型和N型多晶硅横向平均晶粒压阻系数;采用全空间统计平均的方法,计算得到了晶向完全随机的多晶硅横向平均晶粒压阻系数;从欧姆定律和多晶硅晶粒特性出发,推导了多晶硅横向压阻灵敏度的表达式。通过实验测量了多晶硅横向压阻器件的灵敏度及其与角度的关系,证实多晶硅横向压阻灵敏度与器件倾角α符合sin2α的关系。将实验结果与理论分析的结果相比较后,得到了多晶硅的杨氏模量,这些结果表明多晶硅横向压力传感器具有实用价值,并为器件提供了优化的设计方案。

摘要：本文介绍了一种新型的方岛膜压力敏感电容结构,结合适当的接口技术可实现良好的线性化输出。

摘要：采用微机械加工技术可以制作出管芯尺寸小而灵敏度很高的压力传感器。目前微压压力传感器产品的量程已达5～10kPa。本文介绍了采用微机械梁膜结构的压力传感器设计(PT—24),结合适当的工艺可以制成量程为1kPa的器件。

摘要：过载能力是加速度传感器的重要参数之一,缺少过载能力是早期硅微机械- 岛结构的加速度传感器未能实用的重要原因.本文采用微机械限位结构解决了梁-岛结构压阻式加速度传感器的抗过载能力,并对设计进行了优化.采用这种方法使量程在50gn以下的器件具备了1000gn以上的过载能力,达到了实用的要求.本文还对测量器件过载能力的落锤法所产生冲击加速度的规律和标定方法进行了研究,并建立了测试系统,对器件进行了冲击过载测试.

摘要：本文对频率输出的硅微机械结构电容压力传感器进行了研究。利用有限元程序和解析方式对岛－膜硅电容膜片进行了分析。采用硅体型微机械加工技术和集成电路兼容工艺完成了压力元件的制作。对易于ＣＭＯＳ集成的两种新颖的接口电路进行了分析和设计，提高了传感器的性能。

摘要：研究了一种新型的基于二维光子晶体结构的表面等离子体共振SPR(Surface plasmon resonance)效应的红外辐射源,该辐射源基本结构为Si-SiO2(650nm)-Cr(100nm)-Au(800nm),并在Au表面刻蚀5μm的周期性排列的圆孔。设计加工了几种不同的结构,包括三种不同的圆孔间距即晶格常数:6μm,7μm,和8μm;四种占空比(圆孔直径与晶格常数之比):3/8,4/8,9/16和11/16;以及三种圆孔排列方式:正方形排列,六边型排列,和带规则缺陷六边型排列。本文采用红外傅立叶测量设备对辐射源进行测试分析,通过该辐射源的红外反射谱表征其辐射性能,并利用FDTD软件进行模拟,和实验数据作了比较。研究结果得出了红外辐射源反射谱波谷位置即SPR共振峰位置,波谷强度即SPR共振峰强度与不同结构参数之间的关系。研究发现该辐射源SPR共振峰位置基本与圆孔间距即晶格常数成正比,正方型排列基本接近于1:1,而六边型排列基本接近于3/2;常规六边型排列比带缺陷六边型排列和正方型排列具有更窄的半波宽和更大的SPR共振强度;随着占空比变大,该辐射源的SPR共振峰强度变大。

摘要：提出一种新型硅无掩模腐蚀技术。利用设计一块掩模和进行一次常规有掩模腐蚀之后的无掩模腐蚀工艺，可制作多层次的硅微机械结构，结构层数原则上不受限制，各层次的位置和相应深度方便可控。基于该技术，给出了制作的几例多层力学量传感器结构结果。该技术将可望广泛应用于半导体微机械传感器和执行器中。

摘要：本文介绍了一种采用微机械技术形成的电容压力传感器。在设计上采用完全对称的三层结构,从而较好地消除了由温度特性不匹配造成的漂移。利用Diode-quad接口电路的输出增益反馈方式基本消除了器件固有的非线性,使传感器的精度大大提高。