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基于高迁移率透明导电氧化物的高速、低插入损耗硅基光波导移相器研究: 收藏
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引用; 《激光与光电子学进展》2019年第15期56卷 188-196页; 作者：聂立霞张燕鲜仕林秦俊王会丽毕磊电子科技大学国家电磁辐射控制材料工程技术研究中心四川成都611731 电子科技大学电子科学与工程学院四川成都611731; 硅基光波导移相器是硅基光电子系统的重要组成部分。透明导电氧化物(TCO)薄膜的介电常数受栅极电压作用会产生调谐,有望应用于下一代高速、低插入损耗且兼容CMOS的硅基光波导移相器中。TCO较高的光吸收系数限制了其在移相器中的应用。...; 硅基光波导移相器是硅基光电子系统的重要组成部分。透明导电氧化物(TCO)薄膜的介电常数受栅极电压作用会产生调谐,有望应用于下一代高速、低插入损耗且兼容CMOS的硅基光波导移相器中。TCO较高的光吸收系数限制了其在移相器中的应用。提出了一种基于高迁移率的透明导电氧化物的低插入损耗硅基光波导移相器,并证明了TCO材料迁移率与其损耗密切相关。通过理论计算和数值仿真,设计了一种基于高迁移率氧化镉(CdO)材料(μ=300cm^2·V^-1·s^-1)的硅基光波导移相器。所得器件在1550nm波长实现π相移时,器件长度为127μm,插入损耗为1.4dB,调制带宽可达到300GHz。为发展高速硅基光波导移相器件提供了新思路。; 来源：详细信息评论

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