摘要：综合业务网是基于综合业务接入区、基站光缆网及宽带驻地网建设的ODN网络,满足各类业务的融合接入。目前各运营商在资源适配建设、业务开通、纤芯分配等方面依然存在很多问题,譬如综区覆盖面积过大、接入光缆距离长而导致业务开通不及时;光交容量不足、纤芯分配不合理等问题,本文从综合业务网网络架构优化及用户需求角度出发,提出双控分析法思路,探讨如何进行资源协同、统筹规划、科学配置,以实现高效、快速的业务接入。

摘要：增强型GaN HEMT器件的开关速度较现有硅基MOSFET有很大提高,导致硅基MOSFET栅驱动电路无法用于驱动增强型GaN HEMT器件。本文设计了一种适用于增强型GaN HEMT器件的新型栅驱动电路,进而实现高速开关速度。该驱动电路包括接口电路、死区产生电路、电平移位电路、输出驱动电路、欠压保护电路、过流和过热保护电路,Hspice软件仿真结果表明该栅驱动电路功能正确,性能良好,验证了设计有效性。

摘要：为实现对多直流馈入电网规划方案优劣的综合评价,提出一套适用于多直流馈入电网规划的指标体系,并讨论相应的综合评价方法。首先,基于多直流馈入电网评价指标体系构建的原则,设计综合考虑电网规划充裕性、安全性、可行性及经济性4方面需求的指标体系,分层次设置三级共36个指标。其次,根据电网规划的不同阶段,提出指标体系的建立流程,并运用层次分析法以确定各指标权重,实现对多直流馈入电网指标的综合评价。最后,以广东电网规划方案为研究对象,利用所提出的评价指标体系进行研究,得到不同规划方案的综合评价结果。

摘要：GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高达650 V额定电压等级的高效、高频转换器中有着广泛的应用前景。GaN HEMT器件的特性优势与其工艺结构、材料特性密切相关。介绍了耗尽型、增强型GaN HEMT的典型器件结构,并将国内外对结构设计以及材料优化等关键技术问题的研究现状进行了综述,并概括总结了GaN HEMT的技术发展趋势和最新参数指标。