摘要：高比例电力电子设备无法为系统提供足够惯量,给电力系统带来巨大的挑战。虚拟同步发电机(virtual synchronous generator,VSG)控制的储能系统可以参与电网频率调整,提高频率稳定性。重点分析VSG控制参数对含规模化储能的多节点系统的稳定性和惯量支撑能力的影响,给出规模化储能在不同系统惯量水平下控制参数的配置依据。首先,介绍VSG控制的原理和实现方式,并建立系统的状态空间模型。其次,分析同步电机的惯量响应过程,推导频率扰动事件下VSG需要提供的能量及对应的虚拟惯性时间常数。然后,建立含VSG控制储能的3机9节点系统仿真模型,利用模态分析法分析控制参数对系统稳定性的影响。最后,通过仿真验证储能的惯性支撑能力以及储能参数配置原则的有效性。

摘要：基于d电子理论设计Ti-Nb-Cu形状记忆合金的相组成,以优化其性能。XRD分析和TEM观察表明,Cu添加导致键级(Bo)和金属d轨道能级(Md)值减小,从而使相组成发生演变。随着Cu含量的增加,相组成的变化可以总结如下:β+α"→β+ω→β+α"+ω→β。随着Cu含量的增加,Ti-Nb-Cu形状记忆合金的屈服强度、极限抗拉强度和伸长率均呈先增大后减小的趋势。通过优化Cu合金元素含量,Ti-Nb-Cu形状记忆合金具有优异的力学性能,其屈服强度为528 MPa,极限抗拉强度为742 MPa,这主要归因于固溶强化、晶粒细化以及析出强化的综合作用。

摘要：传统超声换能器存在体积大、表面刚性的缺点,无法用于人体复杂皮肤表面和可穿戴器件的设计。为使换能器具有灵活、体积小,满足可穿戴的特点,将其压电元件、电极和封装等各组成部分重组为柔性换能器。相比于传统换能器,它有两个优点:首先,不需要专业人员操作,可实现持续性的超声监控或治疗。其次,通过更全面的皮肤表面覆盖,扩大声场范围。在超声诊断方面,改善声信号采集,获得更全面的检测信息;在超声治疗方面,增加声能量沉积,提高疗效。柔性换能器使超声医疗应用场景多元化,可实现连续超声诊断或超声治疗。该文首先概述了其在设计和加工方面的最新进展,然后重点介绍了其在诊断和治疗方面的应用,最后讨论了这一领域所面临的挑战并对发展前景进行展望。

摘要：针对缓冲包装防护结构的厚度不确定性问题,本文得到厚度的随机统计分布特性,并构造了缓冲包装防护结构的可靠度优化设计概率模型。探讨了传统可靠度指标方法在优化过程中出现收敛失败和数值奇异的原因,通过定义的主动集合策略对可靠度指标进行修正,提出了基于主动集合策略的可靠度优化设计方法,克服了传统可靠度指标方法方法的缺点。通过对包装系统跌落过程中的能量分析,建立了缓冲包装防护结构动态非线性本构关系的数学模型。并采用本文提出的ASS方法对概率模型进行数值求解,并通过蒙特卡罗方法(Monte-Carlo simulation,MCs)方法验证了最优解。本文的研究方法可为缓冲包装防护结构的设计提供一定的理论依据。

摘要：研学旅行自提出以来便成为了旅游、地理、教育等多学科关注的热点。研学旅行与地理学科联系紧密,最新颁布的义务教育地理课程标准更是将研学旅行课程纳入其中。而目前对于研学旅行的系统研究较少,与义务教育联系不紧密,对应义务教育课程标准要求的研学旅行的开发更为少见。因此,本文基于POI数据分析成都开展研学旅行的场地基础,根据课标要求设计研学活动,提炼了研学旅行方案设计的四个原则,梳理了研学旅行方案的设计流程及要求。

摘要：建筑文化是一个区域建筑的特有价值属性。北京的四合院、昆明的一颗印、湘西的吊脚楼等,无不体现该区域深层的文化特性及建筑特点。石库门建筑作为上海典型的地域性民居形式,是一种中西合璧的建筑文化形式,其建筑装饰艺术独具一格。本文通过对石库门建筑的装饰探究,以便更加立体地认识石库门建筑的装饰艺术的价值所在。

摘要：通过工程实例,依据规范对开敞式码头泊位长度进行计算分析,考虑工程区域实际风浪掩护条件,适当突破规范计算值下限,缩短泊位长度以节省工程投资,供类似工程参考。

摘要：在对星轮输出轨迹变化分析的基础上,结合数学推导,设计出一种基于行星轮运动复合原理的方孔钻削加工方法,该方法通过计算可得到孔大小与偏心大小和刀具尺寸基本关系,且能确定钻削方孔具体的位置。通过样机的研制和计算机仿真验证的结果表明,样机对正方孔的加工,特别是正方形盲孔加工有很好的效果,解决了正方形盲孔加工难的问题。

摘要：什么？还以为只有采用ARM架构设计的处理器才是低功耗的代表？你的知识落伍啦，一颗只需要太阳光就能启动、运行的x86处理器已经问世，其功耗最低甚至可以降低到2mW。它是如何减少功耗的？在性能上可能会有何种表现？接下来，本文就将为读者们讲解实现这一奇迹的“秘密武器”——处理器近阈值电压技术的简单原理与优缺点。

摘要：按照intel的Tick-Tock战略，2014年推出的BroadwelI将主要侧重于工艺进步，微结构上不会做出什么大幅度改动，只会做出一些小幅度的调优。BroadwelI的微结构来自于它的前代Haswell，Haswell的设计重点是性能功耗比，IPC的绝对涨幅并不明显，在Broadwel身上，这种趋势也延续了下来。所以关注单核心微结构的读者们恐怕要失望了，Broadwell大致上只是Haswell的14nm工艺迁移版，IPC的涨幅估计比5％高不了太多，主要的性能变化将来自于电路层以下特别是工艺层的改良。据报道lntel并不打算降低BroadwelI产品线的芯片频率，Broadwell大概只会在同频率上性能略微超出Haswell—点，但是同时功耗应该会有一个比较可观的降幅。