摘要：介绍了一款自主设计采用0.25μm GaAs PHMET开关工艺制作的的S波段六位数控移相器芯片和金属陶瓷表贴管壳内的设计方法和研制结果。该移相器在工作频带2.8～3.6GHz内64个移相态的移相精度RMS<1.0°、插入损耗IL<5dB、输入输出驻波比VSWR<1.5、幅度均衡ΔIL<0.3dB、1分贝压缩输入功率大于25dBm、切换时间ton、toff均小于10ns。外形尺寸为10mm×10mm×2mm。

摘要：设计了一种GaAs PHEMT低噪声器件。通过电子束直写手段实现了0.15μm Y型栅,对栅型优化以减小器件栅电阻和栅寄生电容。采用高In含量的沟道设计以改善沟道电子输运特性,采用InGaAs/GaAs复合帽层以改善欧姆接触特性,并通过低噪声工艺流程制作了4×50μm GaAs PHEMT器件。测试结果表明,器件fT达到80GHz,在10GHz处最小噪声系数小于0.4dB,相关增益大于10dB。对于0.15μm栅长GaAs PHEMT器件来说,这是很好的结果。

摘要：报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关。该产品在82 0～ 95 0 MHz下 ,插入损耗≤ 0 .4 d B,回波损耗≥ 1 9.5 d B,反向三阶交调截距点≥ 67d Bm,隔离度≥ 1 5 .5 d B,控制电压为 (0 ,+4 .75 V)

摘要：报道了一种0.15μm GaAs单片限幅低噪声放大器的材料设计和制作工艺,器件关键层制备使用248 nm扫描光刻机和烘胶工艺方案。利用X波段限幅低噪声放大电路对该工艺进行了流片验证。微波测试结果显示,在7~13 GHz频段内,电路增益大于19.5 dB,在7.7 GHz处增益达22.3 dB;噪声系数小于1.98 dB,在7.2 GHz处,最小噪声为1.28 dB;直流功耗为190 mW,展示了良好的器件和电路性能。

摘要：采用南京电子器件研究所的φ76 mm GaAs的PHEMT单片技术,进行了16.5～20 GHz的PHEMT MMIC的设计与研制.其中PHEMT器件选用双平面掺杂A1GaAs/InGaAs/GaAs PHEMT异质结结构,0.5μm栅长的φ76 nm GaAs工艺制作. 在MMIC设计中,准确的器件模型是设计Ku波段单片的关键.

摘要：报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P－1=19dBm。