摘要：针对传统开关滤波器组件体积庞大、重量重、调试复杂、集成度低的问题,设计并制作了一种小型化六通道毫米波硅基MEMS三维异构集成开关滤波器件。该器件以四层堆叠的高阻硅材料为衬底,工作频段覆盖18~40 GHz,内部集成了6款小型化空间堆叠的MEMS滤波器和2个单片开关,采用3D-TSV(硅通孔)异构集成工艺,实现了开关与滤波器组的晶圆级集成。为了优化毫米波频段集成滤波器性能,提出了MEMS混合交叉耦合多层堆叠SIW(基片集成波导)滤波器拓扑结构,且其工艺与整个开关滤波器件兼容,极大提升了滤波器的带外抑制。经测试,该开关滤波器件带内插损10 dB,带边1 GHz处带外抑制>40 dBc。该器件体积仅19.0 mm×16.5 mm×1.1 mm,比传统开关滤波器体积减小了99.7%。

摘要：小型化宽带高性能滤波器是是移动通信中信号传输频率选择、噪声滤除干扰的关键核心器件,是满足5G不同模式、不同体制需求关键器件,已成为5G通信产业化急需解决的瓶颈.传统选频器件在满足5G通信高频段、宽带、小型化、封装、测试等应用需求中都或多或少存在缺陷,亟需将新结构、新材料、新设计方法和新工艺引入到滤波器实现中来,以求研发出满足现代通信系统要求的高性能滤波器.

摘要：南京电子器件研究所结合自主的硅基埋置异构集成工艺和InP HBT工艺,设计制造了国内首款基于硅基埋置异构集成工艺的V波段收发芯片(如图1所示)。该芯片内部集成六倍频器、混频器、滤波器、放大器、伪码调制器等,采用球栅阵列封装(Ball grid array,BGA)接口,具有集成度高。

摘要：南京电子器件研究所根据射频组件芯片化的发展趋势,在国内首先提出了硅基射频微系统架构,在203.2mm(8英寸)硅晶圆上,建立起了TSV射频转接板的设计/工艺能力,通过基于TSV射频转接板的三维异构集成先进工艺技术,制备出硅基首款38GHz异构集成收发芯片,研制出4层硅片堆叠集成的X波段硅基变频芯片,形成了1.0版本的射频微系统工艺规则和多用户流程能力。TSV尺寸(30:200)μm,可以支持4层硅片的圆片级堆叠。该工艺架构在DC-40GHz的微波性能已通过了验证。

摘要：基于原子相干布局囚禁(Coherent population trapping)原理的芯片级原子钟是原子钟微型化发展的必然趋势,其中的核心微型化碱金属吸收泡起着关键性的作用。南京电子器件研究所与成都天奥电子股份有限公司联合研究。