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一种用于光电标签的高电源抑制比的低功耗无片外电容低压差线性稳压器: 收藏
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引用; 《南开大学学报（自然科学版）》2018年第3期51卷 21-25页; 作者：秦国轩黄治塬靳萌萌高静毛陆虹天津大学电子信息工程学院天津300072; 介绍了1种无片外输出电容结构的低压差线性稳压器(LDO).该结构采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺设计,利用体调制效应,提高了LDO的稳定性和其瞬态响应.电路的面积为300×165 μm^2,基于Cadence仿真,其最大负载电流为10 mA,输入电压2 V,...; 介绍了1种无片外输出电容结构的低压差线性稳压器(LDO).该结构采用TSMC 0.18μm标准CMOS工艺设计,利用体调制效应,提高了LDO的稳定性和其瞬态响应.电路的面积为300×165 μm^2,基于Cadence仿真,其最大负载电流为10 mA,输入电压2 V,输出电压为1.8 V.当负载电流为1 m A时,静态电流和电源抑制比分别为83.8μA和-82.6 d B.; 来源：详细信息评论

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