摘要：锦屏二级水电站引水线方向岩体最大埋深达2 500余米,为深入研究深部岩体力学特性,开展试验压力100MPa下岩体变形试验研究。采用刚性承压板中心孔法变形试验方法,从变形模量与岩体埋深、岩体各向异性、试验压力小于与不小于初始地应力条件下的岩体变形特征等角度分析超高压作用下深部岩体变形特性。试验研究成果表明:(1)岩体变形模量与埋深存在较大关系,随着埋深的加大,变形模量有着显著的提高。(2)不同埋深处的岩体皆表现出了各向异性特征。(3)在试验压力小于初始地应力条件下,岩体在做回弹试验,弹性变形占总变形量较大,当试验压力超过初始地应力后,弹性变形相对变小。(4)中心孔法试验成果表明,岩体在0.5~1.0 m深处压缩变形最大,其损伤程度较高。研究成果为深入研究深部地下硐室岩体力学特性与稳定性分析提供依据。

摘要：随着社会的进步和人们审美情趣的不断提高,人们对陶瓷艺术的审美要求也在日益提升,这就要求陶瓷艺术工作者必须创作出更具有时代性、思想性、艺术性相结合的作品,回馈于社会和人民。

摘要：人物绘画艺术具有深厚的文化底蕴和较大的文化价值,剖析人物绘画艺术的传承与创新发展对继承和发展中国优秀艺术文化有着积极的意义。中国人物绘画具有丰富的社会性与民俗性,在某种程度上可以被视为是一部人文生活艺术简史,生动展示了一定的文化内涵与审美倾向。本文通过对人物绘画艺术的研究,分析其内在的艺术发展脉络,探索其中的风格变化,以此为人物绘画艺术的持续发展提供一定的借鉴。

摘要：在简要统计分析长江来水来沙变化、荆江三口分流分沙衰减过程的基础上,着重研究论证了松滋河在三口分流中的地位、作用和演变发展趋势。分析论证结果表明,三口中的藕池河与虎渡河已处于快速衰亡状态,惟有松滋河,尤其是松滋河西支能够在较长时期保持较大分流量。该结论对于长江中游防洪规划续编,江湖关系调整设计,以及江湖综合治理措施等,既具有积极意义,又是基本依据。

摘要：釉里红粉彩综合装饰是将釉里红和粉彩两种彩绘类型集于一体的综合装饰类型,釉里红粉彩综合装饰的形成原因主要在于完善的工艺技法条件、创新求变的社会审美潮流、文化创意产业发展的趋势等。釉里红粉彩综合装饰创作在工艺表达上呈现出复杂的工艺流程、鲜明的材质对比、多样的工艺技法等鲜明特色,在审美表达上呈现出丰富化的色彩美、融合性的纹饰美、多层次的肌理美、民族化的意蕴表达等显著特色。

摘要：粉彩人物瓷画兴起于清雍正时期,在各时期形成了不同的特色,至今已有数百年的发展历程。当代粉彩人物瓷画既要加强传承,也要寻求创新。需要采取注重传统技艺与审美风格的传承、加强传承人才培养、广泛地推广与交流等措施以促进传承;同时,还需要在工艺材料与技艺、主题内容、艺术形式、思想意境等方面的创新变革。

摘要：为获取位于雅鲁藏布江断裂带东段加查县新建水电站工程场区的地应力状态,探讨雅鲁藏布江断裂带东段活动性,采用自主研发的新一代水压致裂地应力测试技术,实测获取了工程场区的地应力状态,并在收集雅鲁藏布江断裂带沿线地应力数据基础上,结合摩尔-库仑破裂准则,对其断层活动性进行了探讨。结果表明:(1)在工程厂区内122.75~418.75 m深度,实测最大水平主应力SH介于6.07~37.62MPa之间,最小水平主应力Sh介于3.13~20.33MPa之间,最大水平主应力优势方向为北北东向;(2)主应力关系总体表现为SH>Sh>Sv(Sv为垂向主应力),应力结构有利于逆断层的孕育和活动;(3)实测及收集的大部分数据应力莫尔圆与摩擦系数为0.6的破坏临界线相交,表明整体上雅鲁藏布江断裂带东段发生滑动失稳的风险较高,其中西侧贡嘎至朗县一带风险高于东侧林芝地区。

摘要：在4H-SiC基底上设计并制备了Al2O3/SiO2紫外双层减反射膜,通过扫描电镜(SEM)和实测反射率谱来验证理论设计的正确性。利用编程计算得到Al2O3和SiO2的最优物理膜厚分别为42.0nm和96.1nm以及参考波长λ=280nm处最小反射率为0.09%。由误差分析可知,实际镀膜时保持双层膜厚度之和与理论值一致有利于降低膜系反射率。实验中应当准确控制SiO2折射率并使Al2O3折射率接近1.715。用电子束蒸发法在4H-SiC基底上淀积Al2O3/SiO2双层膜,厚度分别为42nm和96nm。SEM截面图表明淀积的薄膜和基底间具有较强的附着力。实测反射率极小值为0.33%,对应λ=276nm,与理论结果吻合较好。与传统SiO2单层膜相比,Al2O3/SiO2双层膜具有反射率小,波长选择性好等优点,从而论证了其在4H-SiC基紫外光电器件减反射膜上具有较好的应用前景。

摘要：目前市场主流的窄禁带材料霍尔磁场传感器主要工作在室温或低温环境,而新型的宽禁带GaN材料霍尔传感器虽然适用于高温,但器件结构主要是水平型,受制于异质结界面过高的纵向电场约束,能探测平行器件表面磁场的垂直型结构至今未见报道,因此技术上无法实现单一芯片三维磁场探测.针对该难题,本文提出基于宽禁带AlGaN/GaN异质结材料,采用选区浅刻蚀二维电子气沟道势垒层形成局部凹槽结构的方案,从而实现垂直型结构霍尔传感器,并且可有效地提高磁场探测灵敏度.首先对照真实器件测试数据对所提器件材料参数和物理模型进行校准,然后利用计算机辅助设计技术(TCAD)对器件电极间距比值、台面宽度、感测电极长度等核心结构参数进行优化,同时对器件特性进行深入分析讨论.仿真结果表明所设计的霍尔传感器具有高的磁场探测敏感度(器件宽度为2μm时为113.7 V/(A T))和低的温度漂移系数(约600 ppm/K),器件能稳定工作在大于500 K的高温环境.本文工作针对宽禁带材料垂直型霍尔传感器进行设计研究,为下一步实现在单一芯片同时制造垂直型和水平型器件,从而最终获得更高集成度和探测敏感度、能高温应用的三维磁场探测技术奠定了理论基础.

摘要：随着电力转换系统功率密度和工作频率的不断提高,需要开发性能优于传统半导体的功率器件。作为第三代半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)被认为是提高大功率电力系统转换效率的新一代功率器件的主要候选材料。在操作类型方面,增强型(也称为常关型)器件具有安全、能简化电路设计以及更优的电路拓扑设计等优势,在行业应用中更具吸引力。总结并对比了目前国际上主流的GaN基增强型器件的结构和制备工艺,着重介绍了基于栅凹槽结构的功率器件技术,特别是栅槽刻蚀后的界面处理、栅介质层的优化技术。围绕器件的关键指标,总结了材料外延结构、欧姆接触、场板以及钝化工艺对器件性能的影响,提出了未来可能的技术方案。