摘要：A new switching circuit is presented for the application in the frequency range of 0 to 8 GHz. This switch is electro-thermally actuated and exhibits high radio frequency （RF） performance due to its lateral contact mechanism, It composes of electroplated nickel and silicon nitride as structural materials. The isolation between bias and signal ports is realized by using silicon nitride. In the case of a small deformation, the relation between the displacement of the vertex and the pre-bending angle is analyzed. The metal contact is realized by in-plane motion and sidewall connection. The switches were fabricated using the MetalMUMPs process from MEMSCAP. The RF testing results show that the switch has a low insertion loss of 0. 9 dB at 8 GHz and a high isolation of 30 dB below 8 GHz.

摘要：介绍了一种基于横向金属接触的DC-5GHz单刀双掷RF MEMS开关的研究与设计.横向金属接触开关包括了一套有限的共面波导(FGCPW)传输线和左右摆动的悬臂梁.为了降低开启电压,设计了一种曲折型的折叠梁结构,通过理论分析与仿真实验验证了该结构的可行性,并利用Metal MUMPs工艺加以实现.测试结果显示,该开关在5GHz处的插入损耗为0.8dB,回波损耗大于20dB,隔离度为40dB.测得最低开启电压为33V.

摘要：介绍一种基于55 nm CMOS工艺实现的温度传感器.该温度传感器包括温度传感电路与SAR ADC两个部分.温度传感电路产生与温度正相关的模拟电压,通过SAR ADC进行模数转换,从而得到代表温度信息的数字信号.ADC采用改进的R-2R DAC结构,改进后的R-2R DAC省略运算放大器和反馈电阻,简化电路结构,避免了传统结构中运放失调对温度精度的影响.仿真结果表明,在1.2 V供电电源、-20~100℃温度条件下,该温度传感器的温度分辨率为0.2℃,温度精度为+0.32℃.

摘要：设计了一种基于横向金属接触的DC-5 GHz单刀双掷RF MEMS开关,该开关包括一套有限地共面波导(FGCPW)传输线和左右摆动的悬臂梁。利用绝缘的介质层实现了驱动信号与射频信号的隔离,提高了开关的性能。根据开关的拓扑结构,提出相应的等效电路,并据此实现开关射频性能的优化设计。开关利用MetalMUMPs工艺实现,测试结果显示,该开关在5GHz的插入损耗为0.8dB,回波损耗大于20dB,隔离度为40dB。测得开关的开启电压为59V。

摘要：针对现在存在的寻找车位难的问题,设计一种利用地磁传感器的基于433MHz频段的无线车位检测节点。该节点利用地磁传感器在有车和无车状态下的数据变化来检测车位状态;利用MSP430F5438和相应的门控管理电路达到低功耗的特性;利用433MHz通信模块,实现数据的无线传输。阐述了整个节点软件的主流程和车位检测的流程。利用实验验证了该车位检测节点和检测方法的有效性与合理性。

摘要：基于2μm GaAs HBT工艺,设计了一种工作于1.8~2.0 GHz的射频功率放大器。该功率放大器采用两级放大结构,功率级选用具有良好线性度和效率的J类功率放大器。输出匹配电路采用电容电感组成的两级网络来实现低Q值匹配,拓宽了宽带性能。在驱动级输入端偏置处添加模拟预失真,进一步改善了幅相特性。电源电压为3.3 V,偏置电压为3.4 V。采用ADS软件对该功率放大器进行仿真。结果表明,在1.8~2.0 GHz频率范围内,饱和功率为30.2 dBm,1 dB压缩点输出功率为29.5 dBm,小信号功率增益为32 dB,功率附加效率高于46%。

摘要：基于Cree公司GaN HEMT设计了一款适用于3.45 GHz 5G通信的Doherty功率放大器,其中,载波放大器工作于深AB类,峰值放大器偏置于C类。后仿真表明该放大器小信号增益为13 dB,饱和输出功率大于44.85 dBm(30 W),在饱和点的功率附加效率(PAE)为73.5%。在6 dB回退点效率高达65.2%,与传统AB类放大器相比,效率提升了18%。利用峰均功率比为10 dB、5 MHz的单载波的FDD信号在3.45 GHz频点进行线性仿真,测得在34 dBm的平均输出功率下,邻道泄漏比(ACLR)和误差向量幅度分别为-32.1 dBc和7.768%。

摘要：基于0.18μm CMOS工艺,设计了一种应用于VHF频段直接射频采样接收机的低噪声放大器。为解决在VHF频段使用电感而造成的面积大、难集成等问题,采用无电感结构设计,使电路具备单端输入、双端输出的功能;为减少噪声,采用共源共栅负反馈噪声抵消结构。后仿真结果表明,在30~300 MHz频带内,整体电路的输入匹配参数S11小于-15 dB,输出匹配参数S22小于-12.6 dB,增益范围为25.22~25.39 dB,噪声系数小于1.927 dB。版图尺寸为204μm×365μm。

摘要：为解决自动化集装箱码头中堆场并行式双自动化轨道吊存取箱作业冲突问题,考虑双轨道吊作业干扰约束,以任务完成总时间最小化为目标,建立双轨道吊协同调度的混合整数规划模型。设计基于作业顺序编码的遗传算法,并通过多组实验对CPLEX和遗传算法进行对比分析。实验结果表明,两种方法均可有效避免干扰发生并且都能找到最优接力区位置,充分论证了该双轨道吊协同调度优化模型及算法的有效性。同时算法性能评估表明,遗传算法更适合求解大规模设备调度问题。通过对遗传算法各参数进行优化,显著提高了求解效率。

摘要：针对传统的复接器（MUX）因没有集成时钟电路而限制了其集成度及应用的问题研究了复接器与时钟电路的集成，并采用中芯国际（SMIC）0．18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺设计并实现了一个片内集成时钟产生功能的10Gb／s半速率2：1MUX电路。整个电路由5Gb／s时钟提取电路（CEC）和10Gb／s半速率2：1MUX电路构成。CEC从一路输入数据中提取出5GHz时钟提供给MUX电路。CEC由鉴频鉴相器（PFD）、电压／电流转换电路、环路滤波器及压控振荡器（VCO）构成。Pottbacker型PFD不但可以大幅度扩展环路的捕获带宽，并且由于它能够容忍高达±45。的正交相位误差，因而三级环形VCO能够被采用。测试结果表明，该电路无需任何参考时钟、外接元件及外部手动调谐即可工作。整个芯片面积为670μmX760μm，在1．8V电压下，功耗为180mW，其中核心功耗占60％。