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基于边缘优化设计的低损耗Si3N4光功率分束器: 收藏
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引用; 《深圳大学学报（理工版）》2024年第5期41卷 532-535页; 作者：黄谦睿梁耿钦陈宇泰孙怡雯闫培光屈军乐深圳大学物理与光电工程学院深圳市激光工程重点实验室广东深圳518060 国防科技大学理学院材料科学实验中心湖南长沙410073 深圳大学生物医学工程学院广东深圳518073; 随着信息技术的发展,市场对于更小型化、更高效光器件的需求不断增加.采用互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,成功制备了Si_(3)N_(4)光功率分束器并对其进行测试.结果表明,在1550 nm波长下,边缘...; 随着信息技术的发展,市场对于更小型化、更高效光器件的需求不断增加.采用互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)工艺,成功制备了Si_(3)N_(4)光功率分束器并对其进行测试.结果表明,在1550 nm波长下,边缘优化的1×8功率分束器的总损耗仅为1.30 dB,且其体积相较于传统设计可减小30%.本研究应用逆向优化算法,突破了传统设计仅能针对规则图形设计的限制,为实现小尺寸、低损耗的光功率分束器提供了一种可行途径.; 来源：详细信息评论

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