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基于硬磁薄膜材料的GMI传感器偏置磁场分布模拟: 收藏
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引用; 《磁性材料及器件》2014年第4期45卷 20-23,27页; 作者：黎俊乔晋芳周玲彭景中国地质大学机械与电子信息学院湖北武汉430074; 由于GMI效应对磁场的对称性特点，在传感器设计中，通常采用引入偏置磁场的方法来提高GMI传感器的灵敏度。而采用硬磁薄膜材料作为GMI传感器的偏置磁场源，可在提供80～160A／m的偏置磁场的前提下，实现GMI传感器的低功耗和微型化。运用...; 由于GMI效应对磁场的对称性特点，在传感器设计中，通常采用引入偏置磁场的方法来提高GMI传感器的灵敏度。而采用硬磁薄膜材料作为GMI传感器的偏置磁场源，可在提供80～160A／m的偏置磁场的前提下，实现GMI传感器的低功耗和微型化。运用COMSOL软件对薄膜材料的空间磁场分布进行了模拟，研究了薄膜材料特性及其尺寸对空间磁场分布的影响，并对影响有限元分析结果可靠性的因素进行了探讨。研究结果表明，硬磁薄膜材料的剩余磁化强度为0.3～0．7MA／m、长度为5～7mm、厚度为7～13μm时可以为GMI传感器敏感元件提供符合要求的偏置磁场源。; 来源：详细信息评论

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