摘要：隧道下穿既有高填土路堤施工中,隧道开挖极易造成高填方路堤层失稳,诱发填方路堤发生变形产生裂缝,甚至直接影响高速公路交通安全。文章以成都一贵阳铁路大方隧道下穿杭瑞高速公路为研究背景,考虑下穿工程区松散地质条件及上覆高填方路堤易失稳变形等问题,并结合工程实际,对路堤坡脚及边坡加固技术、洞口施工技术和下穿高速公路施工等关键技术进行了系统研究。首先依次从注浆方式、注浆材料和注浆顺序三方面对坡脚与路堤注浆方案进行了分析;其次结合P-Q-T曲线、注水试验和钻孔取芯试验三种手段对注浆效果进行了相互验证;然后详细介绍了洞口施工关键技术和下穿高速公路施工关键技术;最后根据现场监测数据进行了验证。结果表明,通过注浆加固技术,高填土路基层沉降有效地控制在5～20 mm范围,满足设计文件要求。施工结束后,高填方路基层未产生明显开裂,说明该高填方路堤施工技术对控制路堤变形具有显著成效,可为今后类似施工提供参考。

摘要：本文主要考察了不同形式的家庭作业设计对小学学生数学学习效果的作用。本研究以一所城市小学三至五年级共200人为对象,采用混合研究设计,采用质与量相结合的研究方法。本研究将被试分成两组,实验组使用不同的学习方式,控制组使用传统的学习方式。实验结果显示,多元作业设计能明显提高学生的数学成就,实验组同学于期末数学测验平均得分增加15分,比控制组的7分进步明显。另外,透过访谈与课堂观察,我们发现多元化的作业设计,不但可以提高学生的学习兴趣,也可以提高学生的合作学习与运用能力。此外,本研究亦发现家庭背景、学生学习态度、老师的授课方式等是影响多元家庭作业设计成效的重要因素。

摘要：基于缓解交通压力的考虑,南京纬三路过江通道工程盾构隧道内部采用双层车道结构。由于隧道内部空间狭小,施工组织困难,工期要求紧,因此工程采用预制结构。首先现浇车道板立柱和车道纵梁(含牛腿),然后预制上层车道板,并安放在车道纵梁牛腿上,焊接车道纵梁和车道板预留钢筋并进行浇筑以形成整体。为了验证隧道内部双层车道预制化结构的承载能力,对其进行了荷载试验,结果表明内部车道结构刚度和承载能力均满足设计要求。大直径盾构隧道内部预制结构是一种创新的设计和施工方法,可实现节约投资造价、节省工期等社会经济效益。

摘要：结合矮寨悬索桥的工程实践,采用MIDAS/GTS对茶洞岸锚碇和下穿公路隧道之间的相互作用机制进行研究。研究表明,开挖阶段锚-隧相互作用程度具有不对等性,即锚-隧影响大于隧-锚影响。在设计大缆拉力荷载作用下,下穿隧道的存在明显地改变了锚碇附近围岩的位移分布,导致锚碇附近围岩节点位移曲线发生整体下沉、旋转,并产生最大达0.76mm的竖向附加位移。锚碇附近围岩竖向位移受下穿隧道影响较为显著,而水平向位移受影响相对较弱。对于锚碇隧道而言,下穿隧道单次爆破引起振动较小,距离爆心40m范围以外围岩质点峰值振动速度小于2cm/s,与实测资料吻合。工程项目现场的爆破振动监测及围岩波速测试成果显示:下穿隧道爆破掘进对40m以外围岩的振动效应可以忽略。

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摘要：运营中的连续梁桥、连续钢构桥预应力损失过大,导致桥梁过早破坏.基于弹性接触理论,指出弯曲孔道摩阻损失中接触应力应为中间大、两边小分布,与现行设计中接触应力分布规律不符.为了探讨弯曲孔道预应力摩阻损失中接触应力分布的真实规律,运用CT扫描技术对接触应力试验模型进行试验,得出接触面上实际应力的总体分布趋势.结果表明,预应力弯曲孔道摩阻损失设计计算中接触应力分布规律与实际分布规律不相符,造成现行弯曲孔道预应力摩阻损失设计值与实际损失值有一定偏差.

摘要：解释了绿色建筑体系的新概念，论述了绿色建筑的能源观、设计观以及技术观，体现了环境保护、节能与绿色建筑三者间的协调发展模式，从而创造保护生态且能够可持续发展的人类生存环境。

摘要：为探究溶洞对隧道结构变形与受力特征的影响,采用数值模拟方法,通过改变溶洞分布位置、尺寸大小以及与隧道结构净距等不同因素,建立了二维有限元模型,分析了溶洞对隧道结构位移与内力的影响。结果表明:溶洞使隧道结构变形与受力发生了改变,伴随溶洞与隧道距离的增大,隧道结构产生的位移逐渐减小,在同一净距下,随溶洞尺寸增大隧道结构位移逐渐增大,与无溶洞工况对比,溶洞使得隧道结构内力发生了重新分布,在靠近溶洞一侧隧道结构变形与内力均较大。当溶洞直径小于0.4倍隧道尺寸时,溶洞对隧道结构变形与内力影响均较弱,当溶洞直径大于0.6倍隧道尺寸,且与隧道净距小于0.3倍隧道尺寸时,溶洞对隧道结构变形与内力影响显著,最后通过对比分析,得出对隧道稳定性最不利的溶洞位置是隧道侧部溶洞。研究成果可为岩溶隧道设计施工提供科学参考和借鉴。

摘要：本文重点研究了土工膜作为一种新型防渗材料应用于土石围堰防渗心墙的工程特性,探讨其在土石围堰挡水运行期间防渗的可靠性、耐久性、变形能力及其适用范围,并对土工膜防渗土石围堰设计及施工中应注意的问题进行了分析。

摘要：在 SOI(Silicon on Insulator)结构硅膜上面生长一层 Si Ge合金 ,采用类似 SOICMOS工艺制作成具有Si Ge沟道的 SOICMOS集成电路。该电路不仅具有 SOICMOS电路的优点 ,而且因为 Si Ge中的载流子迁移率明显高于 Si中载流子的迁移率 ,所以提高了电路的速度和驱动能力。另外由于两种极性的 SOI MOSFET都采用 Si Ge沟道 ,就避免了只有 SOIPMOSFET采用 Si Ge沟道带来的选择性生长 Si Ge层的麻烦。采用二维工艺模拟得到了器件的结构 ,并以此结构参数进行了器件模拟。模拟结果表明 ,N沟和 P沟两种 MOSFET的驱动电流都有所增加 。