摘要：施工测量放样是在勘测设计部门已确定的坝址处,根据地形平面形状,将坝址的轮廓按设计标准尺寸放在地面上。施工测量放样是土坝施工中的一项重要工作。放样准确,可以使工程达到设计要求,使施工顺利。根据放样的范围清理坝基,开挖截水槽或心墙基础,作好施工排水、备料等工作。

摘要：东宁山间盆地第四系地下水资源评价及保护对策刘有，赵秀云，齐治平（黑龙江省水利水电勘测设计研究院）［关键词］东宁山间盆地，第四系地下水，评价，保护东宁盆地位于黑龙江省东宁县东部，面积约６５ｋｍ２。东宁县县政府及东宁镇三岔口镇座落在该盆地内。盆地四周辟山...

摘要：抓好技术推广工作　加速科技成果转化王先春，于力，李卉馥，齐治平（黑龙江省水利科学研究所）（黑龙江省水利水电勘测设计院）关键词抗冻技术，土工织物层用，节水灌溉，推广，转化近些年来，我们在邓小平同志关于科学技术是第一生产力思想的指引下，认真贯彻、落实黑龙...

摘要：近年来,电磁光电测距仪以其体积小、重量轻、精度高,既可测边,又能测角,故广泛用于测绘工作中.但利用电磁波测距仪进行间接三角高程测量代替四等水准,已成为工程测量极为关注的问题之一.为了进一步探索光电测距三角高程测量代替四等水准的可行性和实用性,我们在西泉眼水库坝址测量中,做了以光电测距三角高程代替四等水准试验,现将这次试验情况介绍如下:

摘要：采用直流反应磁控溅射法制备了具有不同电致变色性能的NixOy薄膜。通过X射线衍射（XRD）、X射线光电子能谱（XPS）、场发射扫描电子显微镜、电化学工作站、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜物相、价态组成、微观结构和电致变色性能。研究表明：金属镍靶直流反应溅射所制备的薄膜结晶状态与表面微结构对氧流量反应敏感,即在很小的氧流量变化范围内薄膜呈现出不同的晶相与表面形貌;氧化镍薄膜在不同的制备条件下展现出了独特的表面微结构,XRD结果显示薄膜成分为NiO,而通过薄膜元素XPS分析发现其中的Ni并非只有单纯的二价,三价的Ni亦存在,且Ni2＋/Ni^3＋之比约为2：1。最终氧流量、溅射压强、溅射功率分别为1.6 mL/min、2.0 Pa、50 W时获得较优变色性能的NixOy薄膜,其可见光区最大电致变色幅度达到约55%。

摘要：CIGS薄膜太阳能电池的传统背电极中的导电层为了满足电阻要求,必须使用较厚的Mo薄膜作为电子传导层进行电流传输,同时作为电子触头与CIS半导体接触。但较厚的Mo薄膜导致背电极内部应力较大、薄膜制备速度慢且成本高,因此,需开发厚度小、应力小、成本低的新型背电极。新型背电极需要具有较高的电流传输能力,并且经过高温硒化处理后电学性能不变。同时,尽可能地降低薄膜厚度以便节约成本。有鉴于此,本工作提出了采用CuZn合金薄膜代替Mo薄膜作为导电层。X射线衍射仪、扫描电子显微镜及电学性能等测试结果表明,当Brass相CuZn薄膜的膜厚逐渐增加时,结晶特性逐渐变好。并且CuZn薄膜表现出较高的载流子浓度,形成背电极后,电流传输性能依然较好。CuZn薄膜可用于部分替代Mo薄膜,增强背电极导电性能,并减小背电极内部应力,同时节约成本。

摘要：二硫化钼具有类似石墨烯的层状结构,是一种被广泛研究的过渡金属硫族化合物。层状二硫化钼是一种具有较高带隙的半导体,其具有好的光致发光特性以及光电子学特性,在晶体管、光伏、传感器件以及光催化分解水制备氢气等领域具有潜在的应用价值。目前,较高质量的二硫化钼层状薄膜主要是通过高温化学气相沉积法制备,一般制备温度较高,在850~1000℃。本实验利用化学气相沉积法分别在650℃、675℃、700℃、725℃和750℃条件下制备层状二硫化钼薄膜。通过对不同温度下制备的样品进行光学形貌测试及拉曼光谱分析,得出在较低温度下温度对制备二硫化钼薄膜的形貌和单个片层的尺寸具有显著的影响,其中在725℃时制备的层状薄膜形貌和尺寸都较好。本工作为在较低温度下制备出高质量层状MoS2薄膜打下了较好的基础。

摘要：采用直流反应磁控溅射制备了具有优异电致变色性能的WO3薄膜。通过对成膜参数的调控,实现了低功率和短溅射时间的制膜制度,获得了较宽的工艺范围。通过X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、光学轮廓仪、电化学工作站、紫外-可见-红外分光光度计研究了薄膜的物相、微观结构、厚度、电致变色性能。研究表明:在溅射功率为50 W,溅射压强为2.0 Pa,反应气体流量为20 sccm时所制得的薄膜性能最为优越。所制备薄膜具有较短的变色响应时间和大幅度的变色调制幅度,其对可见光变色调制幅度达到80%。

摘要：采用磁控溅射法及线棒刮涂法在玻璃衬底上室温生长微纳结构铝掺杂氧化锌(AZO)薄膜,使底层AZO薄膜工作压强从1.5Pa调整到0.1Pa。通过扫描电子显微镜(SEM)、X线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试系统、分光光度计及光电雾度仪研究了AZO薄膜的表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能。研究结果表明,降低底层AZO薄膜工作压强对微纳结构AZO薄膜光电性能有显著的影响。底层AZO薄膜工作压强0.2Pa时,薄膜表现最低电阻率为6.17×10-4Ω·cm,可见光波段平均光学透光率为82.3%。随着底层AZO薄膜工作压强的降低,薄膜表面形貌、生长形态和晶粒大小发生较大变化,并得到具有陷光作用、优良光电性能的微纳结构AZO薄膜。

摘要：常温下利用TiO2陶瓷靶采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备了N掺杂TiO2薄膜。利用光学轮廓仪、X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱仪分析(XPS)和分光光度计等对薄膜的沉积速率、化学组成、晶体结构和禁带宽度进行了系统研究。结果表明:磁控溅射N2流量和退火处理对薄膜的微观结构和性能有重要的影响。退火前,薄膜由非晶态TiO2构成;退火后,薄膜呈现锐钛矿相和金红石相的混合相。随着磁控溅射系统中N2流量的增加,退火前禁带宽度从3.19eV减少到2.15eV;退火后,薄膜由非晶相TiO2组织转化为锐钛矿TiO2和金红石TiO2构成的浑河相组织,禁带宽度相比退火前的非晶相TiO2薄膜略有增加。