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超表面硅光偏振分束器制备及测试: 收藏
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引用; 《光学学报》2024年第19期44卷 289-295页; 作者：朱仕杰王路石昊赵俊吴衍青张磊李镇江龙家丽杨树敏邰仁忠上海大学微电子学院上海200444 中国科学院上海应用物理研究所上海201800 中国科学院大学北京100049 中国科学院上海高等研究院上海同步辐射光源上海201204 之江实验室浙江杭州311100; 根据梯度指数物理模型设计的超表面硅光偏振分束器方案,在绝缘体上硅(SOI)平台上利用电子束光刻(EBL)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等微纳加工手段完成了器件的制备。该方案针对该超表面器件的制造要求优化了制备工艺,所制备的器件超表...; 根据梯度指数物理模型设计的超表面硅光偏振分束器方案,在绝缘体上硅(SOI)平台上利用电子束光刻(EBL)和电感耦合等离子体刻蚀(ICP)等微纳加工手段完成了器件的制备。该方案针对该超表面器件的制造要求优化了制备工艺,所制备的器件超表面结构特征尺寸误差小于5 nm,刻蚀深度误差小于10 nm;最后利用搭建的硅光探针台进行实际测试,结果表明在覆盖C波段的1510~1590 nm波段范围内,TE模式的插入损耗小于3.9 dB,TM模式的插入损耗小于3.8 dB,消光比大于20 dB。; 来源：详细信息评论

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