文献检索-宁波市创意产业特色资源库

限定检索结果

基于Hspice模型的非晶硅薄膜晶体管特征参数提取: 收藏
分享
引用; 《半导体技术》2016年第10期41卷 746-750页; 作者：殷晓文严利民龚露鸣上海大学微电子研究与开发中心上海200072; 非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level...; 非晶硅薄膜晶体管(TFT)作为各种主流显示设备的像素点驱动器件,应用在计算机、视频终端和通信等多个领域。对薄膜晶体管的特征参数提取是显示驱动电路设计的前提。归纳并讨论了非晶硅薄膜晶体管模型选择,综合了归一化方法和Hspice level=61 RPI模型,分离参数后线性提取了如阈值电压、场效应迁移特征电压、迁移率幂律参数、源漏电阻及饱和电压调制等特征参数。利用溶胶凝胶法制备了氢化铟锌氧化物(HIZO)作为有源层的薄膜晶体管,将实际测量曲线与仿真曲线进行研究比较,误差分析表明该方法能很好地拟合薄膜晶体管电学性能。; 来源：详细信息评论

限定检索结果