摘要：Texas Instruments（TI）设计数据集成部主管Mark Mason指出：尽管157纳米乃至126纳米光学波长曾经一度被视为未来的光刻技术解决方案，极紫外线光刻技术（EUV）也被推测可能早于预期崭露头角，但是事与愿违，目前来看，用于生产下几代半导体芯片的光刻技术的曝光波长将止步于193纳米。“这将对掩膜版制造提出更高的要求，”他说，“事实上，纵览整个分辨率增强技术（RET）的发展过程，这一理念始终被贯穿其中。”

摘要：常规光刻方法通过利用电路设计每一层的掩膜版来进行曝光和显影．从而形成图案。佐治亚理工学院（GeorgiaInstitute of Technology）的研究人员正在研究一种多光子光刻技术，不再需要掩膜版就可以制作出65nm的三维聚合物线条结构。

摘要：虽然应用材料公司（Applied Materials）并不以光刻而闻名．但它还是想提醒大家：光刻不是只有印制（printing）。正如应用材料公司的薄膜事业群总经理Farhad Moghadam在SPIE的先进光刻会议的新闻发布午宴上所概述的那样，光刻领域已经从传统的印制（曝光设备、工序系统、模膜版和光刻胶）扩展到包括前期准备、生产力、缺陷、图形转移、计量／检测和可制造性设计（DFM）等。