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面向纳电子时代的非易失性存储器: 收藏
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引用; 《电子设计技术 EDN CHINA》2010年第3期17卷 64-64页; 作者：agostino pirovano Roberto Bez恒忆(Numonyx)公司; 目前，业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研，其中一类是基于无机材料的存储器技术，如铁电存储器（FeRAM）、磁阻存储器（MRAM）或相变存储器（PCM），另一类存储器技术则基于有机材料，铁电或导电开关聚合物。值得注意...; 目前，业界对两大类全新的非易失性存储器进行了可行性调研，其中一类是基于无机材料的存储器技术，如铁电存储器（FeRAM）、磁阻存储器（MRAM）或相变存储器（PCM），另一类存储器技术则基于有机材料，铁电或导电开关聚合物。值得注意的是，在这些接替闪存的非易失性存储器当中，只有相变存储器具备进入广阔市场的能力表现，被视为下一个十年的主流存储器技术。; 来源：详细信息评论

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