摘要：报道了一款阻断能力为12kV的4H-SiC N沟道绝缘栅双极型场效应晶体管(IGBT)。器件为穿通型IGBT,漂移层厚度为120μm,掺杂浓度为2e14cm^(-3);缓冲层厚度为3μm,掺杂浓度为4e16cm^(-3)。为缓解器件主结边缘处的电场集中效应,采用了结终端扩展(JTE)终端结构。流片测试结果表明,栅极电压20V,集电极正向电流为24A/cm^2时,比导通电阻为140mΩ·cm^2。栅极和发射极短接,集电极电压为13kV时,漏电流小于10μA。

摘要：针对现有模式复用器的不足,根据有效折射率匹配效应,设计一种非对称平面光波导型模式复用/解复用器。波导结构由1个波导主臂和2个波导分支臂组成。研究了波导各项参数的确定准则,仿真分析了不同的波导底面宽度比对模式复用/解复用性能的影响,确定了最佳的波导底面宽度比,分析了基模和一阶模在波导中的传输过程和光场能量流动情况。结果表明:非对称平面光波导型模式复用/解复用器具有良好的模式复用和解复用性能,并且可以高效率地实现模式之间的转换,具有结构简单、模式转换效率较高、易于集成等优点。

摘要：以一种剃须刀外壳的设计为基础,通过分析产品结构特征,设计了一模两腔,动、定模多个斜向复杂抽芯的结构,并运用模流分析软件模拟产品的填充、保压、冷却过程。发现该模具结构设计合理,开合模动作准确可靠,多个斜向抽芯之间无干涉,产品成型表面质量较好,可以达到客户的需求。模具结构新颖,可以为同类设计提供借鉴。

摘要：通过对货箱第二支承盖板零件级进模工艺研究,采用UG-PDW软件设计级进模具,对钣金展开、条料排样和级进模具结构设计的主要设计过程进行了详细介绍,表明PDW技术在较多工序的级进模具设计中能够大大节约模具设计的时间,提高设计效率,节约成本。

摘要：根据汽车B柱左右内饰板结构复杂、外观质量高、体积大、内部加强筋多、倒扣多等特点,设计了一套“一模两腔”带有顺序阀热流道的注塑模具。采用斜导柱+整体式T形滑块机构与斜顶杆交叉辅助机构实现倒扣、内部异形孔等结构的抽芯脱模。设计了延伸分型面,动模模芯与型腔板一体成型、定模模芯和型芯板一体成型,可大大节省制造成本。浇注系统采用“热流道+U形回弯冷流道+扇形侧向搭接浇口”的设计,减少了塑件熔接痕、缩痕等缺陷,提升了塑件质量。详述了模具模芯结构、热流道浇注系统、冷却水路、排气、导向定位的设计要点,解决了B柱左右内饰板注塑过程中的脱模困难、熔体填充和生产周期长等问题,通过优化组合设计,从整体上简化和优化了模具结构,降低了模具制造成本。

摘要：根据部队飞行保障的特点和需要,研究设计了飞机综合包伞机。该文重点介绍综合包伞机动力系统和电气系统的设计及其特点。

摘要：为了实现外圈零件的批量生产,通过分析冲压件的工艺,最终选定落料→拉伸→冲孔复合冲压,采用复合模的工艺方案,计算了必要的工艺参数,设计了复合模结构.

摘要：储能设备作为虚拟同步机(virtual synchronousgenerator, VSG)的重要组成部分,能够提供惯性功率以保证VSG及时响应电网功率和频率波动。针对基于储能VSG的变换器控制策略,在频率调节的基础上考虑储能荷电状态对有功功率指令的影响,引入功率占比函数调节以上两种功率值在有功指令中占比以避免储能单元的过充过放,以储能充放电超限功率最小为目标函数,结合功率预测使用遗传-模拟退火算法设计VSG有功指令中功率占比函数。在MATLAB/Simulink仿真平台搭建仿真模型,验证了所提控制策略能够避免荷电状态超限,保证VSG的频率调节能力,实现微电网长期稳定运行。

摘要：针对6 500 V SiC器件的阻断电压要求,采用有限元仿真软件对场限环终端结构进行了设计优化。相比于通常的恒定环间距增量场限环终端设计,本项研究采用三段不同的环间距增量终端环结构。该结构场限环终端的优势在于SiC器件表面的峰值电场强度控制在1MV/cm以下,体内的峰值电场强度在2.4MV/cm以下,有效减小了实际工艺中环注入窗口的工艺偏差引起的环间距拉偏对峰值电场强度的影响。环间距拉偏结果显示,在-0.2^+0.2μm的偏差范围内,器件表面(SiO_2/SiC交界处)的峰值电场强度并没有升高,只是峰值的位置发生了改变。最后利用了所设计的场限环终端进行了实际流片。测试结果显示,当施加6 500V的反向电压,漏电流小于10μA。

摘要：基于自主研制的碳化硅肖特基势垒二极管(SBD)和碳化硅结型场效应晶体管(JFET)芯片,成功制备了4 500 V/150 A的碳化硅SBD功率模块和4 500 V/50 A的碳化硅JFET功率模块,并设计了JFET功率模块的驱动电路进行相应的静态和动态开关测试。测试结果表明,制备模块具备了相应的电流导通和电压阻断能力,同时开关特性良好,模块的容量是目前国内已报道的最高水平。