摘要：研制了4H-SiC MESFET 1mm多栅器件.通过对SiC关键工艺技术进行研究,设计出初步可行的工艺流程,并且制作出单栅宽100μm,总栅宽1mm,栅长0.8μm的n沟道4H-SiC MESFET,其微波特性测试结果为:在2GHz,Vds=30V时,最大输出功率为1.14W,相应增益为4.58dB,功率附加效率为19%,漏极效率为28.7%.

摘要：设计了一种耐压超过14kV的4H-SiC超高压PiN二极管。外延材料N-层掺杂浓度3.0×10^(14) cm^(-3),厚度140μm。通过模拟仿真,采用台面结合双JTE结终端保护结构,器件实现了14kV以上耐压,正向导通电流1A。

摘要：分析了传统滚刀系统存在问题的原因,提出了一种基于SERCOS总线技术的一体化运动控制应用在滚刀系统中的设计方案,并给出了相应的软硬件结构。实践表明,解决了传统滚刀控制系统在硬件设备上缺点及控制精度方面的不足。

摘要：研究不同时效温度下(165℃、200℃、250℃)时效工艺对Al-Cu-Mg-Ag合金力学性能的影响,在此基础上,采用Levenberg-Marquardt算法训练神经网络对样本进行学习,在溶质原子在两种强化相中的定量关系尚不存在的前提下,建立了以时效温度与时间为输入参数和抗拉强度、屈服强度与伸长率为目标函数之间的函数关系。发现在目标函数为0.0005,隐层节点数为11,学习率为0.1时,系统误差较小。利用所建立的网络模型预测不同时效状态下材料的力学性能,发现预测数据与实验数据吻合良好,证明了网络的可靠性,为进一步研究工艺参数对力学性能的影响规律和工艺的优化设计提供了理论依据。

摘要：设计、制造并测试了基于碳化硅材料的横向MOSFET器件和CMOS电路。常温时,N型和P型MOSFET在片测试的阈值电压分别约为5.4 V和-6.3 V;温度达到300℃时,N型和P型MOSFET的阈值电压分别为4.3 V和-5.3 V。由N型和P型MOSFET组成的CMOS反相器在常温下输出的上升时间为1.44μs,下降时间为2.17μs,且在300℃高温条件下仍可正常工作。由CMOS反相器级联成的环形振荡器在常温下的测试工作频率为147 kHz,在高温下也可正常工作。

摘要：压铸工艺及模具设计课程作为高职三年级学生的一门专业拓展课程,开展线上线下混合式教学模式探索,有助于学生在教学实施过程中接触到多样化的课程教学资源,也打破了传统教学过程中的时间和地域限制,突出了学生的主体地位,教师与学生角色的不断变换互动,使整个教学过程充满活力和趣味,有效提高了学生学习的效率和主动性。

摘要：近年来,预应力约束下的混凝土局压承载力分析问题已经成为了关注的焦点,因此对于发展和完善预应力下混凝土的设计理念还是具有十分重要的价值。通过ABAQUS软件的分析,素性混凝土、植入普通钢筋的混凝土与预应力钢筋约束下混凝土的局压极限承载力进行对比,首次采用预应力筋约束混凝土局部受压区域的方法,以达到提高构件承载能力、限制裂缝开展、节约钢材、增加构件刚度的目的,并且研究了其应力云图以及其钢筋网片的受力形式。

摘要：把流媒体系统作为一个复杂的控制系统进行研究,给出支持多级反馈控制机制的系统框图,重点分析媒体播放器从流接收到播放的全过程.同时,为了提高用户体验质量,实现音视频流在接收端的连续平滑播放,设计了多级缓冲机制以减少IP网络抖动和丢包产生的影响,实现了根据接收端的解码能力,自适应地选择解码层次和调整帧播放速率.最终采用多线程技术实现了MPEG-2TS复用H.264高清视频流的解码播放,并给出试验结果.

摘要：报道了在150μm厚、掺杂浓度5.0×10^(14)cm^(-3)的外延层上制备15 kV/10 A超高压SiC功率MOSFET器件的研究结果。对器件原胞结构开展了仿真优化,基于材料结构、JFET区宽度和JFET区注入掺杂等条件优化,有效地提升了器件的导通能力,器件比导通电阻为204 mΩ·cm^(2),击穿电压大于15.7 kV,在漏极电压15 kV时,器件漏电流为10μA,漏电流密度为12μA·cm^(-2)。在工作电压1.7 kV、导通电流10 A条件下,开通时间和关断时间分别为140 ns和84 ns。

摘要：针对SiC MOSFET体二极管双极退化效应,该文提出了一种集成低势垒二极管的10 kV SiC MOSFET器件新结构(LBD-MOSFET)。该结构通过在一侧基区上方注入N阱,降低了漏源间的电子势垒,从而在元胞中形成一个低势垒二极管(LBD)。当LBD-MOSFET在第三象限工作时,低的电子势垒使LBD以更低的源漏电压开启,有效避免了体二极管开通所导致的双极退化效应。二维数值分析结果表明,SiC LBD-MOSFET的击穿电压达13.5 kV,第三象限开启电压仅为1.3 V,相比传统结构降低48%,可有效降低器件第三象限导通损耗。同时,由于LBD-MOSFET具有较小的栅漏交叠面积,其栅漏电容仅为1.0 pF/cm^(2),器件的高频优值为194 mΩ·pF,性能相比传统结构分别提升了81%和76%。因此,LBD-MOSFET适用于高频高可靠性电力电子系统。