摘要：自2017年报道SiC(碳化硅)功率金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)技术进展以来,针对器件比导通电阻(RON,SP)高等问题不断优化器件结构设计,本课题组改进关键加工工艺,使1200 V SiC MOSFET的RON,SP从8 mΩ·cm^2降低到4.8 mΩ·cm^2。与此同时,本课题组采用新一代SiC MOSFET设计和工艺技术研制出6.5 kV、10 kV以及15 kV等高压低导通电阻SiC MOSFET,其中10 kV和15 kV器件的比导通电阻分别为144 mΩ·cm^2和204 mΩ·cm^2,接近单极型SiC器件的理论极限。

摘要：针对服役于高温高压复杂井况下的油管特殊螺纹接头上扣后的密封性展开研究,利用有限元仿真的手段建立了油管接头上扣后多角度评价模型,经过对接头密封部位接触压力、密封积分强度、等效应力的计算,最终发现接头上扣后的密封状态良好,本次计算的理论参数可供油管接头结构设计提供指导价值。

摘要：六自由度水声测试装置可在三维空间实现各种声呐姿态的控制,研究四自由度测控平台条件下的六自由度声学测量技术,可有效扩展四自由度声学测试平台功能,解决低自由度测控装置无法实现更高自由度声学测试等问题。通过建立维度传递模型,将四自由度测试平台条件下实测的几何量值转变为对声呐的六自由度控制,并设计了相应的声呐测试流程,计算机数值计算验证了维度传递理论及该技术方法的可行性及有效性。研究结果表明,该技术可在四自由度测试平台条件下以较高的效率实现声呐的六自由度测试。

摘要：植被是城市生态系统的“肺”,研究植被覆盖度变化对城市生态环境具有一定的意义。利用1993年、2008年和2019年Landsat系列遥感影像数据,基于NDVI像元二分模型,运行ENVI5.5和ArcGIS10.3估算和分析图木舒克市植被覆盖度时空变化特征与趋势。结果表明:(1)图木舒克市植被永安坝水库东北部总体以突里买提河与克列根河为轴线、西南部总体以盖木里克河为主线,从高到低向外展布,低与中覆盖碎散式围绕高覆盖分布;(2)过去27年,图木舒克市植被覆盖面积和覆盖度均呈增加趋势,其中高植被覆盖面积比重最大,2019年相比1993年,高植被覆盖面积增加442.4 km^(2),增长了139.49%;(3)极低、低与中覆盖转移以高覆盖为主,转移比例分别为16.83%、40.66%和50.00%。

摘要：为更好地计算石油套管柱接头的力学性能,基于有限元方法中的“软接触”建立套管特殊螺纹接头接触模型,按照《ISO 13679:石油天然气工业套管及油管螺纹连接试验程序》B系试验载荷包络线对JIPΦ177.8×10.36 mm P110套管特殊螺纹接头进行仿真分析。发现接头螺纹段第1牙、第17牙各表面,密封面,台肩面的等效应力、法向接触应力、位移、法向张开位移、切向相对滑移以及切向接触应力分布的历程输出合理,说明在整个B系载荷包络线加载下,螺纹结构完整性与密封性良好;引入软接触模型后,螺纹啮合部位与接头密封部位接触状态较好,摩擦行为对整个接头的接触状态影响不大。结果表明采用“软接触”有限元模型计算套管特殊螺纹接头的接触问题是可行的。

摘要：利用天然蛋白质氨基酸序列设计生物仿生材料是近年来兴起的一个热门研究领域.本文中将蚕丝蛋白特征氨基酸序列(Gly-Ala-Gly-Ala-Gly-Ser)部分引入离子互补型多肽RADA16-Ⅰ中,设计了新型多肽RAGA16.采用原子力显微镜(AFM)、旋转流变仪(Rheometer)、傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、倒置荧光显微镜等技术对多肽RAGA16的自组装结构、肽链的二级结构、流变学性能以及细胞相容性等进行研究.结果表明,蚕丝蛋白多肽序列引入后,多肽RAGA16具有自组装特性,能够自组装形成致密的纳米级三维网络结构,所形成的水凝胶力学性能明显提高,通过分析得知这可能是由于多肽二级结构中Silk I结构成分比例增加所致.荧光染色显示,绝大多数接种于多肽水凝胶中的小鼠前成骨细胞MC3T3-E1能存活,且在不同的三维平面上生长增殖.综上,利用蚕丝蛋白特征序列对RADA16-Ⅰ进行仿生改性后,对拓展多肽材料在生物医学领域的应用具有重要意义.

摘要：本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出.

摘要：基于有限元仿真的方法对6 500 V15 A4H-SiC肖特基二极管开展了材料结构、有源区结型势垒肖特基（JBS）结构和终端保护结构的优化设计。基于4英寸（1英寸=2.54 cm）n型4H-SiC导电衬底,采用厚度为55μm、杂质浓度为9×1014 cm-3的外延材料、48个宽度为3.0μm浮空场限环实现了一款反向击穿电压大于6 500 V的4H-SiC JBS二极管。电特性测试结果表明,室温下正向电流为15 A时,正向电压为2.9 V,开启电压为1.3 V;150℃下正向电流为15 A时,正向电压为5.2 V,开启电压为1.2 V。

摘要：规范作为结构设计的技术文件,对结构设计有重要的指导作用,同时也反映了一个国家和地区的技术与经济的发展水平。我国规范经过多次的调整和修订,已经形成比较完善的体系,但与美国规范还有一定的差距。论文针对我国和美国混凝土结构设计的相关规范中,对受弯构件的正截面的计算方法进行了对比分析,得出了准确可靠的结论。

摘要：电力行业通常由单一生产者承担最有效率,这表现为政府垄断、政府投资融资、政府所属企业生产、政府行政管理。然而竞争机制的引入,必然要求多元化的产权结构,投资主体的多元化也就形成了多元化的融资渠道。本文简介电力项目融资方式的分类及定义;分析各种融资方式下存在的融资风险;探讨如何避免或降低电力项目融资风险。