限定检索结果

检索条件"作者=C.Daucher"
3 条 记 录,以下是1-10 订阅
视图:
排序:
新型1200V SPT^+芯片技术和17mm的IGBT功率模块平台——最先进逆变器设计的理想组合
收藏 引用
《电源世界》2006年 第4期 55-58页
作者:c.daucher D.Seng A.WahiSEMIKRONElectronic GmbH & Co.KG SEMIKRONInternational GmbH 
在具有重要意义的1200V电压等级的市场上,SEMIKRON推出了17mm厚的扁平化的采用SEMIX功率模块封装的下一代软穿通(SFT)IGBT,即SPT+,作为今后开发其他产品的产品平台。和以前的软穿通芯片模块相比,SPT+模块的开关损耗和导通损耗低。芯片...
来源:详细信息评论
无铅低电流电气弹簧压接技术在功率模块中应用的可靠性
收藏 引用
《电源技术应用》2004年 第12期7卷 i016-i019页
作者:E.Frenznick U.Scheuermann c.daucher A.Wintrich 
运用电气压接技术的先进功率模块设计简化了装配过程。这项技术可应用于功率端子、辅助门极、发射极和传感器触点。多年来一些产品系列一直使用的是低温锡铅印刷电路板,如SKiiP或MinisKiiP。然而法规和市场需求推动的无铅运动迫使我们...
来源:详细信息评论
功率模块无铅应用中低电流电气弹簧压接的可靠性
收藏 引用
《电源世界》2004年 第12期 61-63页
作者:E.Frenznick U.Scheuermann c.daucher A.Wintrich 
运用电气压接技术的先进功率模块设计简化了装配过程。这项技术可应用于功率端子、辅助门极、发射极和传感器触点。多年来一些产品系列一直使用的是低温锡铅印制电路板,如SKiiP或MiniSKiiP。然而法规和市场需求推动的无铅运动迫使我们...
来源:详细信息评论
聚类工具 回到顶部