摘要：A random method used for improving light throughput of a soft X-ray multilayer has been developed in the 18-20 nm spectral region, based on the traditional theory of periodic multilayer, and an 8% gain in integrated reflectance is obtained. The ensemble calculation is presented at the same time, and the multilayer is fabricated by magnetron sputtering.

摘要：采用随机数的方法在 18～ 2 0 nm波段设计了积分反射率最大的宽带多层膜 ,理论上得到了高于周期膜系 8%的积分反射率 ,同时带宽与视场范围有明显的展宽 ,并用磁控溅射法进行了初步制备。对反射率的相对测试表明 ,与周期膜系相比 ,非周期多层膜的带宽展宽 ,但峰值反射率略有降低。膜厚控制是实验的难点。

摘要：为了研发紧凑型的射频波导CO_2激光器并探究影响其输出性能的因素,采用平行平面腔内电极结构,设计并研制了一台射频激励矩形波导CO_2激光器。实验中采用透过率为20%的输出镜,在工作气压14k Pa下,得到12W的最大激光输出功率,电光转换效率达到9.4%。结果表明,工作气压和射频输入功率是影响激光输出性能的最主要因素。该研究取得了预期的实验结果,对国内今后此类器件的研究具有很好的借鉴意义。

摘要：半导体激光器对于工作温度有着及其严格的要求,半导体激光器的阈值电流、输出光功率和波长会随着温度的变化而产生剧烈变化。为保证半导体激光器的正常工作,设计了一种以单片机为控制核心的温度控制电路,其中包括由电流源和仪表放大芯片组成的温度采集电路和由功率芯片组成的热电制冷器(TEC)驱动电路。通过比例-积分-微分(PID)算法输出两路不同占空比的脉冲宽度调制信号对TEC驱动电路进行控制,并提出降低脉冲宽度调制信号频率来提高TEC驱动电路输出电压调制精度的方法提升电路控温性能。搭建了基于STM32F103CBT6的半导体激光器温度控制电路,验证实验方法的可行性。实验结果表明,当环境温度在20℃~50℃时,该电路可实现其在设定温度±0.01℃范围内的稳定控制。

摘要：本文介绍了传统网络防火墙在软件定义网络(SDN)中存在的问题,设计了一种基于OpenFlow的SDN防火墙。这种防火墙通过SDN控制器启动,用户可以综合考虑网络协议类型、操作类型及优先级等因素,制定防火墙规则,由SDN控制器转换成不同的流表项,下发给对应交换机,从而实现可定制的智能防火墙功能。此外,针对单级流表和多级流表的不同场景,分别设计了对应的防火墙规则下发流程,并详细描述了防火墙应用的具体实施方式。本设计适用于所有种类SDN交换机的防火墙,通用性强。

摘要：全电子引信具有高安全性和可靠性,实现其在高过载环境中的应用是发展的重要方向之一,提高全电子引信在侵彻等高过载环境中的生存能力是当前的研究重点。介绍了国内外全电子引信的研究和应用现状,从元器件、灌封、结构、装药、先进工艺等角度介绍了全电子引信的抗过载手段。元器件抗过载设计是提高引信抗过载能力的根本方法,灌封和缓冲结构设计是当前提高引信抗过载能力的重要手段。利用增材制造、MEMS等先进工艺实现元器件的小型化和集成化是发展的重要方向。

摘要：受现场条件制约,钢桁拱桥在架设过程中经常遇到在桥梁侧面90°取梁,若采用常规施工方案通常难以兼顾结构的施工安全性与经济性。以暮坪湘江特大桥为工程背景,从桥区现场条件、安装难易程度、架设施工工法、经济性、水文地质条件5个方面综合分析了3种钢梁架设方案可行性,提出采用爬拱全回转起重机进行钢桁拱桥架设的拱梁同步施工技术,并采用有限元分析软件对爬拱全回转起重机在各种不利工况下的安全性进行了评估。结果表明,采用爬拱全回转起重机架设的拱梁同步施工方案简便易行、成本低、安全性高,可确保大桥顺利施工。

摘要：短路能力是衡量功率半导体器件(IGBT、SiC MOSFET等)性能的重要指标,然而SiC MOSFET的短路性能还没有得到充分的研究。为掌握SiC MOSFET在短路工况下的特性,设计一套SiC MOSFET非破坏性短路测试实验平台,从短路脉冲宽度、栅源极电压UGS、栅极电阻RG、漏源极电压UDS、杂散电感LS、壳温度TCASE等方面对1 200 V/36 A SiC MOSFET的短路特性进行全参数实验,综合评估和分析SiC MOSFET器件在不同参数下发生短路的开关瞬态特性。

摘要：针对传统变压器冷却监控系统中使用继电器存在的故障率高、故障排查困难、功能单一且无法自动控制的问题,提出了一种基于PLC的新型智能变压器冷却监控系统。首先,对智能冷却监控系统、冷却柜以及PLC控制模块进行介绍,然后设计了监控系统中PLC控制模块和包含的各种传感器,最后将监控系统中具体实现的功能进行分析,包括变压器负荷监测、油温监测以及双电源和冷却器自投等。系统以PLC为控制核心,在监测冷却系统运行参数的同时,对冷却系统发出自动控制指令,实现了实时在线监控,有效降低了故障风险。工程运行表明,该系统功能齐全,运行可靠,自动化程度高,能够及时发现并解决故障,满足了变电站中安全提升的要求。

摘要：碳化硅(SiC)MOSFET作为第三代半导体器件,与硅IGBT相比在高频、高温、高压的工况下性能更加优异。然而在并联应用中,不同器件之间较大的特性参数差异会影响并联均流的动静态特性。现有的SiC MOSFET并联均流研究并没有全面地分析器件参数对并联均流产生的影响。因此,测试了30个器件在通态电阻、阈值电压、跨导和寄生电容上的差异并理论分析了不同特性参数对并联动静态均流所造成的影响,设计了SiC MOSFET并联均流实验的平台,且在排除电路参数以及测量系统可能引入的误差的条件下,针对不同器件参数的差异度进行实验,最后综合理论分析和实验结果,得出SiC MOSFET不同器件特性参数的差异度分别对静动态均流的影响以及这些影响的综合作用关系。